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去年9月，美光宣布推出12层堆叠的HBM3E，拥有36GB容量，面向用于人工智能（AI）和高性能计算（HPC）工作负载。美光表示，相比于年初量产的8层堆叠的HBM3E，在给定的堆栈高度下，新产品无论堆叠层数还是容量都增加了50%，满足了更大的AI模型运行的需求，避免了多处理器运行带来的延迟问题。
据Business Korea报道，美光开始批量生产12层堆叠的HBM3E，首先会供应给英伟达。在最近的一次活动中，美光首席财务官Mark Murphy表示，与竞争对手8层堆叠的HBM3E相比，美光12层堆叠的HBM3E不但容量提高了50%，而且功耗还降低了20%，今年下半年大部分HBM生产都会由12层堆叠的产品组成。
美光提供的HBM3E产品拥有16个独立的高频数据通道，采用了1β（1-beta）工艺打造，封装规格为11mm x 11mm，堆叠12层的24Gb裸片，提供了36GB容量，带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s。美光将硅通孔（TSV）增加了一倍，封装互连缩小了25%，功耗比起竞品降低了30%。美光凭借先进CMOS技术创新，结合先进的封装技术，提供了改善热阻抗的结构解决方案，有助于改善立方体的整体散热表现，加上大幅度降低的功耗，为客户提供了功耗更低、散热效率更高的HBM3E产品。
Mark Murphy预计美光下一代HBM4将在2026年量产，同时还在推进HBM4E的开发。
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