广东
近日西部数据举行了公司的投资者日，宣布了未来的愿景和战略，NAND闪存业务的剥离计划预计将于2025年2月21日完成。未来西部数据SSD产品线将转向SanDisk（闪迪），后者也简单地介绍了今年即将推出的新款SSD产品和技术，特别是高带宽闪存HBF，令人耳目一新。
据TrendForce报道，SanDisk和铠侠（Kioxia）组成的NAND闪存合资企业占据了2024年第三季度全球NAND闪存位产量的三分之一，不同的是，铠侠的目标是在2025年提高218层NAND闪存的产量，而SanDisk仍然在优化112/162层NAND闪存的生产，以实现收入最大化。SanDisk正在推进BiCS9 FLASH 3D闪存技术，率先会带来1Tb TLC芯片，将超过300层。
SanDisk表示，2025年将推出三款SSD，均采用了218层的BiCS8 FLASH 3D闪存技术。首先是基于QLC的PC SN5100S，采用PCIe 4.0×4接口，提供了512GB、1TB和2TB三种容量，可选M.2 2230外形规格；其次是基于TLC的PCIe 5.0 SSD，连续读写速度可达14500 MB/s和14000 MB/s，M.2 2280外形规格，提供了512GB、1TB、2TB和4TB四种容量，功耗保持在7W的水平，预计2025年第二季度出货；最后是面向数据中心市场的DC SN670，搭载了SanDisk独有的UltraQLC技术，支持PCIe 5.0标准，提供了122.88TB和61.44TB两种容量。
高带宽闪存HBF是SanDisk经过带宽优化的NAND产品，设计思路类似于HBM，以大量I/O引脚和多层堆叠结合，相当于高带宽NAND闪存。事实上，HBF与HBM共享了电气接口，带宽也相接近，不过适配的介质从DRAM切换至NAND，协议略有变化，所以不完全兼容。
SanDisk透露，HBF实现了8层到16层堆叠，可以部分替换HBM，通过逻辑芯片和中介层连接到GPU/CPU/TPU，能够提供HBF+HBM的自定义组合产品。SanDisk的想法已经得到了业界的关注，如果未来三星、SK海力士和美光能够支持，有可能演变称接近存储级的内存。
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