北京
金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，上海功成半导体科技有限公司申请一项名为“一种新型功率器件的制备方法及功率器件”的专利，公开号CN 119403158 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种新型功率器件的制备方法及功率器件，涉及功率半导体器件技术领域，能够解决SGT MOSFET器件快关断下Vds的应力过大的问题，进而可以提高器件的稳定性。所述方法包括：获取第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面；在所述第一衬底的第一表面上形成栅极和源极；在所述第一衬底的第二表面形成漏极；在所述栅极连接电容结构；其中，所述电容结构包括：第二衬底，基于所述第二衬底形成的第一金属层、第二金属层和介质层，所述介质层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间。
天眼查资料显示，上海功成半导体科技有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本1414.9831万人民币，实缴资本1414.9831万人民币。通过天眼查大数据分析，上海功成半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，知识产权方面有商标信息33条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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