北京
金融界 2025 年 2 月 13 日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“光电传感器测试结构、形成方法及测试方法”的专利，公开号 CN 119400779 A，申请日期为 2023 年 7 月。
专利摘要显示，一种光电传感器测试结构、形成方法及测试方法，包括：衬底，衬底包括第一测试区、第二测试区以及位于第一测试区和第二测试区之间的器件区，衬底包括相对的第一面和第二面；位于器件区内的若干光电掺杂区和电荷收集区，若干光电掺杂区之间以及电荷收集区和光电掺杂区之间相互分立，且第一面暴露出光电掺杂区；位于第一测试区的第一测试结构；位于第二测试区的第二测试结构；位于光电掺杂区之间以及电荷收集区和光电掺杂区之间的若干隔离结构，隔离结构包括屏蔽层；位于第一面表面的第一互连结构，位于第一面表面的第二互连结构，位于第二面表面的第三互连结构。所述测试结构能够测试出界面态表征数据。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元，实缴资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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