北京
金融界2025年2月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司申请一项名为“一种单晶硅生长系统及生长控制方法”的专利，公开号 CN 119392358 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示， 本发明提供一种单晶硅生长系统及生长控制方法，单晶硅生长系统中单晶硅生长装置包括坩埚、导流筒和支架，支架分别与坩埚和导流筒机械连接，支架用于支撑导流筒悬挂于坩埚内；坩埚用于承载熔融的单晶硅；导流筒的底部包括第一孔和第二孔；光线输出单元通过第一孔传输至坩埚内，并且光线在单晶硅的液面处进行反射，反射的光线通过第二孔传输至光线接收单元控制单元根据光线接收单元接收的光线判断坩埚内单晶硅的液面与导流筒的距离；光线输出单元和光线接收单元分别通过导流筒的第一孔和第二孔进行光线的出射和接收，可以保证对坩埚内的单晶硅的液面与导流筒之间距离进行准确的获取，该距离准确的获取有益于提升单晶硅的缺陷控制。
天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币，实缴资本3035万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目22次，知识产权方面有商标信息11条，专利信息205条，此外企业还拥有行政许可177个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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