北京
金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号 CN 119381380 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底；层间介质层，形成于所述衬底上；金属互连结构，形成于所述层间介质层中，所述金属互连结构包括两层金属层和通孔插塞，每层所述金属层包括至少一条金属线，每条所述金属线包括多段子金属线，相邻层的所述金属线中的所述子金属线之间错开排列，相邻层的所述金属线中的所述子金属线之间通过所述通孔插塞电连接。本发明的技术方案使得能够明显降低半导体器件的寄生电容。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币，实缴资本578214.4726万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目213次，知识产权方面有商标信息65条，专利信息1682条，此外企业还拥有行政许可102个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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