北京
金融界2025年1月28日消息，国家知识产权局信息显示，珠海多创科技有限公司申请一项名为“一种磁阻元件、传感设备及其制备方法”的专利，公开号CN 119355600 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开一种磁阻元件、传感设备及其制备方法，涉及磁场测量技术领域。该磁阻元件包括磁阻子元件和磁变轨元件，磁阻子元件包括多个磁堆叠，各磁堆叠至少包括自由层，磁堆叠的磁灵敏轴平行于自由层平面；磁变轨元件设置于各磁堆叠的自由层的两侧，用于将垂直于自由层平面的外磁场转变为平行于自由层平面的分量；磁变轨元件包括四氧化三铁纳米颗粒。本发明通过对磁变轨元件的材料选择，降低高频环境对垂直于自由层平面的外磁场测量的影响，具有结构简单、易于实现的技术效果。
天眼查资料显示，珠海多创科技有限公司，成立于2018年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3342.1251万人民币，实缴资本3006.955万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海多创科技有限公司参与招投标项目38次，知识产权方面有商标信息8条，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可22个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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