北京
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司申请一项名为“应变有源层及其制备方法、半导体发光结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119342954 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种应变有源层及其制备方法、半导体发光结构及其制备方法，应变有源层包括：沿第一方向层叠的第一组合势垒层、量子阱层和第二组合势垒层，量子阱层的材料为Inb（Ga1‑aAla）1‑bAs，b大于或等于0.1；第一组合势垒层包括沿第一方向层叠的第一势垒层和第二势垒层，第二势垒层位于所述第一势垒层的两侧，第二势垒层的能带带隙大于量子阱层的能带带隙且小于或等于第一势垒层的能带带隙；第二组合势垒层包括沿第一方向层叠的第三势垒层和第四势垒层，第四势垒层位于所述第三势垒层的两侧，第四势垒层的能带带隙大于量子阱层的能带带隙且小于或等于第三势垒层的能带带隙。
天眼查资料显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本17627.9943万人民币，实缴资本9663.4952万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目65次，知识产权方面有商标信息14条，专利信息250条，此外企业还拥有行政许可15个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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