北京
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体共用单元结构、块结构、存储器件结构及制备方法”的专利，公开号 CN 119342812 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体技术领域，提供一种半导体共用单元结构、块结构、存储器件结构及制备方法，半导体共用单元结构包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元与第二存储单元沿第一方向呈镜像地并排分布，第一存储单元与第二存储单元共用同一源漏单元层，第一方向平行于衬底的表面；第一存储单元和第二存储单元均包括第一晶体管和第二晶体管，第一存储单元中的第二晶体管的第四源漏区和第二存储单元中的第二晶体管的第四源漏区分别连接于源漏单元层的相对两面。本公开的存储器件结构的存储密度较高，存储器件结构制程工艺流程较短，制造成本较低。
天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币，实缴资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目11次，知识产权方面有商标信息47条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可13个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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