北京
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，上海维攀微电子有限公司申请一项名为“一种大通流TVS二极管PN结的形成方法”的专利，公开号 CN 119342844 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明属于半导体/集成电路的设计及制造领域，具体为一种大通流TVS二极管PN结的形成方法。包括：选择掺杂硅衬底，在衬底表面形成氧化层，在氧化层上显影出不同形状的trench俯视图形，再通过刻蚀工艺在衬底上刻蚀出trench，将与衬底反型的掺杂多晶硅填充至trench并封口，对掺杂多晶硅进行反向刻蚀并高温扩散推结，然后沉积一层氧化层为通孔介质层并开出通孔，最后通过沉积工艺在介质层上沉积金属形成正面电极，在衬底背面研磨减薄并沉积多层金属形成背面电极且进行互连封装。本方法能够在满足更高浪涌电流吸收能力要求的同时，实现更低的钳位电压，提高了TVS二极管的性能，使其更具产品竞争力。
天眼查资料显示，上海维攀微电子有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1222.1万人民币，实缴资本370万人民币。通过天眼查大数据分析，上海维攀微电子有限公司共对外投资了2家企业，知识产权方面有商标信息6条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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