北京
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119342853 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：第一导电类型外延层、第二导电类型柱形扩散区和其之间的第一导电类型重掺杂层；第一导电类型重掺杂层的第一导电类型掺杂浓度大于第一导电类型外延层。本发明通过第一导电类型外延层与第二导电类型柱形扩散区之间接触界面掺杂浓度大于第一导电类型外延层的第一导电类型重掺杂层，使第一导电类型外延层与第一导电类型重掺杂层之间形成自建电场，抑制导通电流密度小时存在的单极导电模式，增强电导调制作用，降低导通压降；另外通过设置第一导电类型重掺杂层的厚度，使第一导电类型重掺杂层不会对第一导电类型外延层与第二导电类型柱形扩散区形成的超结结构的性能产生明显影响。
天眼查资料显示，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1685.2302万人民币，实缴资本1628.4247万人民币。通过天眼查大数据分析，瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了4家企业，知识产权方面有商标信息13条，专利信息134条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
