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金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有碳化硅衬底的半导体管芯”的专利，公开号CN 119342866 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，公开了具有碳化硅衬底的半导体管芯。本公开涉及在半导体主体(1 0)中具有半导体器件(100)的半导体管芯(1)，半导体主体(10)包括：碳化硅衬底(11) ；在碳化硅衬底(11)的第一侧(11.1)上的外延碳化硅层系统(12)；中断层(13)；其中中断层(13)被嵌入到碳化硅衬底(11)中或被嵌入到外延碳化硅层系统(12)中，在每种情况下，中断层(13)在距碳化硅衬底(11)的第一侧(11.1)一定竖向距离(20)处被嵌入。
本文源自：金融界
作者：情报员
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