北京
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、三维存储器”的专利，公开号 CN 119342805 A，申请日期为 2023 年 7 月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善存储器中栅极诱导漏极泄漏问题。半导体结构包括衬底、有源柱和栅极结构。有源柱位于衬底上且沿垂直于衬底的方向延伸。栅极结构围绕有源柱的部分侧面。栅极结构具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面沿垂直于衬底的方向间隔设置，且相对于第二表面，第一表面更远离衬底。沿第一表面指向第二表面的方向，栅极结构的功函数逐渐增大。较高功函数的栅极结构能够保持足够的阈值电压，同时低功函数的栅极结构能够改善栅极诱导漏极泄漏的问题，上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1390次，知识产权方面有商标信息947条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1003个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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