北京
金融界2025年1月21日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法”的专利，公开号CN 119270576 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法，包括以下步骤：S1：基于提供的设计图案，筛选设计尺寸小于最小设计尺寸加第一预定值区域为Target检查区；S2：基于光罩检查标准，对设计图案OPC修正得到修正图案；S3：在Target检查区基础上，基于修正图案，筛选在光罩制造尺寸规则极限及以上至第二预定值区域为POST OPC检查区；S4：对POST OPC检查区仿真模拟并MEEF分析，选择超出MEEF预定值区域为MEEF检查区；S5：对MEEF检查区确定新光罩检查标准。MEEF引入光罩验证避免因光罩误差产生桥接；在最小设计尺寸与光罩制造尺寸极限附近仿真筛选，缩小仿真范围，找到真实的风险热点。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币，实缴资本522000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目591次，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可10个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
