金融界2025年1月21日消息,国家知识产权局信息显示,宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司申请一项名为“提高高阻单晶硅片退火后电阻率检测准确性的方法”的专利,公开号CN 119269187 A,申请日期为2024年9月。
专利摘要显示,本发明提供一种提高高阻单晶硅片退火后电阻率检测准确性的方法,涉及硅片检测方法技术领域,在多线切割得到高阻硅片后,将高阻硅片放入混酸溶液中刻蚀第一预定时 间,得到预处理硅片,以将切割过程中带入的杂质微粒消除,防止杂质微粒在退火时在硅片中扩散,然后将预处理硅片置于退 火炉中进行退火,以消除负荷中心,使得硅片中其他影响检测准确性的带电粒子全部被消除,进而电阻率检测时检测精度提高。
天眼查资料显示,宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司,成立于2011年,位于银川市,是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本18714.352万人民币,实缴资本18645.7万人民币。通过天眼查大数据分析,宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目17次,知识产权方面有商标信息6条,专利信息116条,此外企业还拥有行政许可35个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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