北京
金融界2025年1月21日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司申请一项名为“提高高阻单晶硅片退火后电阻率检测准确性的方法”的专利，公开号CN 119269187 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种提高高阻单晶硅片退火后电阻率检测准确性的方法，涉及硅片检测方法技术领域，在多线切割得到高阻硅片后，将高阻硅片放入混酸溶液中刻蚀第一预定时 间，得到预处理硅片，以将切割过程中带入的杂质微粒消除，防止杂质微粒在退火时在硅片中扩散，然后将预处理硅片置于退 火炉中进行退火，以消除负荷中心，使得硅片中其他影响检测准确性的带电粒子全部被消除，进而电阻率检测时检测精度提高。
天眼查资料显示，宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司，成立于2011年，位于银川市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本18714.352万人民币，实缴资本18645.7万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目17次，知识产权方面有商标信息6条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可35个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
