北京
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，无锡靖芯科技有限公司申请一项名为“一种用于high side抑制热插拔过程浪涌的结构”的专利，公开号CN 119297951 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种用于high side抑制热插拔过程浪涌的结构，包括：MOS管，用于在检测到浪涌电压时迅速导通并释放浪涌电荷；齐纳二极管阵列，连接于MOS管的栅源之间，用于限制栅源电压；电阻R，连接在齐纳二极管阵列与地GND之间，用于限制电流。齐纳二极管阵列由N+1个齐纳二极管组成，N个齐纳二极管串联接入电路，并与最下方的一个齐纳二极管共同设定浪涌电压的触发点。本发明通过利用齐纳二极管、电阻和MOS管的特性，克服因MOS管本身栅源耐压的较低而无法实现high side驱动的问题，同时充分发挥选用器件的响应特性，保证响应的速率，从而在热插拔过程中能够高效地限制浪涌现象。
天眼查资料显示，无锡靖芯科技有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1060万人民币，实缴资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡靖芯科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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