35家射频功放芯片玩家、产品及其选型

射频前端(RFFE：Radio Frequency Front End)的核心部件包括功率放大器(PA)、滤波器(Filter)、双工器或多工器(Duplexer或Multiplexer)、低噪声放大器(LNA)、开关(Switch)、天线调谐模块(ASM)等，射频前端是无线通信系统中与外界交互最密切的部分，承载着连接用户与网络的重要任务。

图1、射频前端RFFE

射频功放芯片，即射频功率放大器(RF Power Amplifier，简称PA)是射频系统中的核心器件，负责将射频信号的功率放大，以便通过射频天线发射出去，从而实现远距离通信。射频功放芯片的性能直接影响到无线通信系统的通信质量、覆盖范围、功耗和稳定性等方面，左右着终端的用户体验和节能降耗。射频功放芯片主要应用于手机终端、通信基站、物联网设备、军事气象雷达等领域。

图2、射频功放芯片

①、射频功放芯片分类及原理

射频功放芯片通常由多种功能模块组成，包括输入匹配网络、功率放大器主体、输出匹配网络以及保护电路等。这些模块共同协作，将输入的射频信号进行放大，并输出到天线端。在放大过程中，射频功放芯片需要保持高效率、低失真和低噪声等特性，以确保通信系统的稳定性和可靠性。射频功放芯片核心参数包括增益、带宽、转换率、效率、线性度、最大输出功率、输出输入阻抗等，众多平衡的性能指标非常考验设计能力。

射频功放芯片性能参数：

射频功放芯片根据工作模式不同分为线性功率放大器和开关型功率放大器。线性功率放大器增益高、线性度好、结构简单，缺点是效率低；开关型功率放大器输出效率极高，理想状态下可达100%，缺点是设计难度大，线性度差。线性功率放大器可以按照电流导通角不同分为A、B、C三类。A类适用于小信号低功率放大的情况，B类和C类适用于大功率工作状态。开关型功率放大器的晶体管工作状态为开、关两种，因此其电流波形不存在重叠的现象。

射频功放芯片不同类型比较：

射频功放芯片按照应用场景大致可以分为手机、基站、WiFi、NB-IoT等四个赛道。

• 手机PA：受益于5G换机周期、单机所需要的PA量价齐升，手机PA需求上升。国内手机PA厂商在2G、3G手机有优势，受益4G向5G切换、国产替代加速。
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• 基站PA：受益5G-A/6G新基建和5G普及，在带动物联网发展的同时会激发基站市场需求，同时Massive MIMO等新工艺推动基站端的PA需求增长。
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• WiFi PA：WiFi射频前端性能优化的重点也在于PA。WiFi和5G配合将会实现全场景的覆盖，网络速率、节能效率将得到大幅度提升。随着物联技术不断的普及，WiFi市场有望得到快速持续增长。
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• NB-IoT PA：由于2G、3G退网，5G建设进程加速，NB-IoT作为物联网的一个重要分支，也将迎来产业化发展的新阶段。NB-IoT具有“大连接、广覆盖、低成本、低功耗的特点”，将PA集成进SoC就是一个不错的解决办法，采用SoC内置功放PA可以降低对终端Flash存储空间、终端尺寸、终端射频等的要求，从而极大降低NB-IoT的终端成本和功耗。

射频功放芯片的性能提升主要来自于材料工艺的提升，目前已经经历了CMOS、GaAs、GaN的三大技术演变。第一代半导体材料是CMOS，技术成熟且产能稳定。第二代半导体材料主要使用GaAs或SiGe，有较高的击穿电压，可用于高功率、高频器件应用。第三代半导体材料GaN在性能上显著强于GaAs，但成本较高。所以目前手机上的PA主要运用第二代化合物半导体GaAs，部分PA则采用Si、Ge工艺的CMOS；2G手机曾采用CMOS工艺，3G/4G/5G则采用GaAs工艺，而未来GaN或将成为高频、大功率应用的方案。

射频功放芯片的非线性失真会使其产生新的频率分量，如对于二阶失真会产生二次谐波和双音拍频，对于三阶失真会产生三次谐波和多音拍频。这些新的频率分量如落在通带内，将会对发射的信号造成直接干扰，如果落在通带外将会干扰其他频道的信号。为此要对射频功率放大器的进行线性化处理，这样可以较好地解决信号的频谱再生问题。

射频功放基本线性化技术的原理与方法不外乎是以输入RF信号包络的振幅和相位作为参考，与输出信号比较，进而产生适当的校正。目前己经提出并得到广泛应用的功率放大器线性化技术包括，功率回退，负反馈，前馈，预失真，包络消除与恢复(EER)，利用非线性元件进行线性放大(LINC) 。较复杂的线性化技术，如前馈，预失真，包络消除与恢复，使用非线性元件进行线性放大，它们对放大器线性度的改善效果比较好。而实现比较容易的线性化技术，比如功率回退，负反馈，这几个技术对线性度的改善就比较有限。

②、射频功放芯片的常见玩家及产品

本期我们盘点一下射频功放芯片和模块的主要玩家。

1、思佳讯

思佳讯的SKY66313-11是一款高效功率放大器，工作频率范围为3400至3600 MHz。这种高增益，高线性PA提供33dBm的输出功率，增益为36dB，PAE是15％。它需要一个5V单电源，并集成了有源偏置电路，以补偿PA在温度，电压和工艺变化方面的性能。该放大器采用5 x 5mm封装，专为FDD和TDD 4G LTE和5G系统而设计。

2、Qorvo

Qorvo的QM77051作为一款“all in one”的高集成L-PAMiD，不仅包含了低频、中频、高频，还有2G的电路，相当于将已在客户端广泛使用的QM77052低频集成方案和QM77058中高频集成方案的功能都集成到了单一模块里面。与分立方案对比，它可以节省约72%的布板面积，和MHB+LB PAMiD的方案对比，也可以节约42%的面积。QM77051和QM77050是目前Qorvo主推的一个L-PAMiD组合，作为市面上兼具集成度和性价比的产品，有望实现大众市场的5G设备覆盖。

Qorvo的QPA9122M是一款宽带、高增益和高线性度驱动放大器，其在2.6GHz时提供36.5dB增益并达到27dBm P3dB的峰值功率。该放大器可以为高达200MHz宽的5G NR信号提供良好的DPD线性性能，非常适合m-MIMO应用。

3、高通

高通的QPM6679是集成式5G/4G功率放大器模组，无需外部双工滤波器即可支持全100MHz包络追踪，从而改善能效并提高传输功率，带来更快上传速度和更可靠的连接。高通的QDM5579是双频分集模组，占板面积极小，是目前商用模组之中尺寸最小的。得益于它们先进的集成性，上述新模组将大幅节省占板面积，支持终端厂商设计具备顶级外形的移动终端。完整的射频前端产品组合以及调制解调器到天线的解决方案，可支持终端厂商快速推出支持n53、n70和n259（41GHz）等新频段的商用终端。

4、村田/派更

村田/派更的UltraCMOS® PE188100、PE188200和PE189100 射频集成电路都在单晶片中集成了功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、移相器、波束成形器、开关和混频器，为多达1024个振子的天线阵列提供最佳的信号强度，支持n257 (PE188200)、n258 (PE188100) 和 n260 (PE189100) 全频谱频段，具有管脚到管脚（pin-to-pin）兼容性。村田/派更的PE128300和PE129100都在单晶片中集成了振荡器、混频器、放大器和开关，可与多达16个pSemi波束成形射频集成电路或总共128个波束成形器通道配对，以支持大规模MIMO、混合波束成形及其他有源天线配置，支持n257/n258 (PE128300) 和 n260 (PE129100)宽带频段，具有管脚到管脚（pin-to-pin）兼容性。

5、亚德诺

亚德诺的HMC1099PM5E是一款GaN宽带功率放大器，可在0.01GHz到1.1GHz瞬时带宽上实现>10W输出，PAE高达69%，典型增益平坦度为±0.5dB。该产品非常适合脉冲波或连续波 (CW) 应用，包括基站在内的无线基础设施、雷达、公共移动无线电通信和通用放大技术等领域。

6、恩智浦

恩智浦的PA模块AFSC5G35D35，是一个完全集成的Doherty功率放大器模块，面向体积小性能要求高的无线基础设施应用，适用于大规模MIMO系统、室外小型小区和低功耗射频拉远应用，该成熟的LDMOS功率放大器专为TDD和FDD LTE系统而设计。

7、慧智微

慧智微的Agi5G™是可重构5G射频前端方案。为了推动5G射频前端兼容性，Agi5G™基于通用方案Phase2(LTE)和Phase7(5G NR)的管脚进行设计，为客户提供了一套简洁高效的5G射频前端整体解决方案：3GHz以下频段采用成熟的MMMB + TxM方案(Phase2兼容)；5G新频段（Sub-6GHz）采用高集成度的双频n77/n79 L-PAMiF + L-FEM方案(Phase7兼容)，集成LNA/PA/滤波器/SRS切换开关。

慧智微以PA芯片为核心，已经衍生出LNA、开关、控制及系统级封装等方面的设计能力，较国内厂商在4G PA模组、5G射频前端模组领域有较强的竞争力。

8、海思

海思的Hi6D05，已应用于华为P40系列手机。海思已涉足射频前端中的最主要器件PA的研发，还有射频收发芯片，未来可能实现全栈自研。

9、康希

康希的KCT8270N/8570N/8770N是高度集成的WLAN射频前端模块（FEM）芯片，它集成了功率放大器（PA）、带旁路的低噪声放大器（LNA）和完成收发快速切换的单刀双掷（SPDT）开关。这套KCT8270N/8570N/8770N射频前端芯片在与DPD算法配合使用时，提供了卓越的EVM性能，同时实现了超低功耗。为具有多MIMO配置的Wi-Fi 7网络设备提供了良好的散热环境。芯片均采用超小型化3x3mm封装设计。它是实现支持IEEE 802.11a/b/g/n/ac/ax/be多种标准的高性能WLAN系统的完美射频前端解决方案。

• 6GHz高效率和高线性度Wi-Fi7应用
• 全集成射频前端芯片
• 兼容IEEE 802.11b/g/n/ac/ax/be无线局域网系统
• 5.9~7.1GHz频段

• 5GHz 高效率和高线性度Wi-Fi7应用
• 全集成射频前端芯片
• 兼容IEEE 802.11b/g/n/ac/ax/be无线局域网系统
• 5.15~5.85GHz频段

• 2.4GHz 高效率和高线性度Wi-Fi7应用
• 全集成射频前端芯片
• 兼容IEEE 802.11b/g/n/ac/ax/be无线局域网系统
• 2.4~2.5GHz频段

10、唯捷创芯

唯捷创芯的VC5337是一款面向IEEE 802.11b/g/n/ac/ax无线局域网标准的全集成2.4GHz射频前端芯片。VC5337将PA、LNA、发射/接收开关电路、相关匹配网络集成在一个COMS单芯片器件中。最大功率可达到27dBm，噪声系数NF只有1.8dB，特别的架构设计使得11N MCS7功率高达24dBm的同时保持-30dB EVM，远高于市场同类产品。采用封装为LGA-16 3x3封装，兼容性高。应用场景：接入点PC卡、住宅网关、客户端设备、物联网、定制化2.4GHz射频系统等。

唯捷创芯的VC5788是一款WiFi5/WiFi6 5.8G的射频前端芯片，封装采用LGA-16 3x3，5V电源供电，1.8V控制电平，集成了5GHz PA，LNA，SPDT TX/RX开关，RX通路带Bypass功能，Pout=23dBm（typical）VHT80 MCS9 -35dB DEVM，Pout=21.5dBm（typical）HT80 MCS11 -40dB DEVM。应用场景：无线路由器、平板电脑、车联网以及CPE等。

11、卓胜微

卓胜微是国内射频开关/LNA龙头，将从分立开关走向DiFEM和LFEM。在2021年卓胜微也推出PAMiF，正式进军手机PA，也必然会走向PAMiD。

12、锐石创芯

锐石创芯的RR88643-31NR，采用了锐石首创的高性能PA架构，克服了行业内High-Band(HB) PA多年来效率、线性度、功率三者难以兼顾的挑战。在各频段均做到了功率与效率的行业领先，且满足3.4V下5G NR全频段PC3功率要求。

13、昂瑞微

昂瑞微的5G PA产品OM9902-11、OM9901-11，5G PAMiD产品OM9085-11。荣耀P50系列就用到了昂瑞微的OM9902和OM9901两款芯片，OM9901-11为2G频段设计，低频段支持GSM850/EGSM900，高频段支持DCS1800/PCS1900频段。OM9902-11支持3G/4G/5G NR 频段。昂瑞微以拳头产品CMOS PA和GaAs PA起家，PA模拟技术积累深厚，拥有完整的PA/FEM产品线系列，其产品覆盖2G、3G、4G、5G Phase5N、L-PAMID和L-PAMIF全系列，属于老牌国产PA设计厂商。

14、紫光展锐

紫光展锐的5G射频前端解决方案采用模组化设计，集成了功率放大器（PA）、开关、滤波器和低噪声放大器（LNA）等器件，比业界平均水平降低15%的通路损耗、尺寸减小20%，为纤薄的智能手机带来更大的设计空间。展锐5G射频前端解决方案支持N77、N78、N79、N41、N28和N1等5G全球主流频段，满足全球市场对5G高、中、低频段的不同需求。

15、飞骧

飞骧的FX5627H，一款Sub-3GHz 全频段的多模多频PA产品，处理包含n41、n1、n3等全部Sub-3GHz频段的发射，n41频段支持PC2功率，其他频段支持PC3功率。

飞骧的NZ5627K，是一颗支持LTE/5G的多模式多波段功放模组，芯片内置低频段，中频和高频段三个砷化镓功率放大器，内置控制器和多个切换开关。

飞骧的FX6728是支持Sub-6GHz的LFEM模块FX6728，处理n77/78/79频段的分集接收，内含LNA/滤波器/开关，支持高通和联发科平台。

飞骧的FX6779是一颗支持Sub-6GHz的LPAMiF模块，处理n77/78/79频段的发射和接收，内含PA/LNA/滤波器/开关，支持PC2功率，支持高通和联发科平台。

以上素材源自数源科技的5G通信壳拆解，适用华为Mate50 Pro。

16、宜确

宜确封装尺寸仅为2.5x1.5x0.25立方毫米的射频前端模组，采用中芯宁波特有的晶圆级微系统集成技术（uWLSI®），打造了目前业界最紧凑的射频前端器件，成为业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组，主要面向4G和5G智能手机市场，满足其对射频前端模组进一步微型化的需求。

17、芯朴科技

芯朴科技的第二代5G n77 1T2R射频前端功率放大器芯片XP5127，全频段支持HPUE PC2，在3mm*5mm体积内集成GaAs PA，RF SOI LNA Switch和滤波器各种工艺的芯片，提供全差分射频解决方案。相较于单端方案，散热性能更好，性能得到巨大提升。在各种5G调制波形MPR0/1/3/6.5下，线性度指标和电流指标均领先于欧美一线厂商。第二代5G n77解决方案，在第一代基础上，实现最精简的设计，减少产品用料，集成一路发射和两路接收，同时两路n77接收通路实现高隔离度，保证MIMO接收性能。同第一代5G n77方案相比，第二代5G n77方案仅用4个射频模组就可以实现原先7个模组所需的功能，可大大减少射频用料和设计空间。

芯朴科技的第一代XP5733系列产品已实现出货2亿颗；芯朴科技量产的小尺寸3*3产品XP5733-21支持卫星通信，使用温度范围为-40到+85℃，支持B23、n255、n256的NTN频段，为卫星通信产品在工业级和消费级应用中提供更便捷的选择。

18、国博电子

国博电子的功率放大器采用高性能InGaP/GaAs异质结双极性晶体管工艺，满足了用户在DC~6.0GHz范围内，不同增益、输出功率、以及电流的要求。主要用于将调制振荡电路所产生的射频信号功率放大后输出到天线上辐射出去。广泛应用于4G、5G通信系统基站、微基站、移动终端及无线接入等设备中。

19、英诺迅

英诺迅的YP601241T，一款DC~6GHz 15W功率放大器，其工作频率范围为DC~6GHz，输出功率15W（VDD=28V）。内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性。芯片采用SOT89-3封装，为客户节省了布板空间，便于系统小型化集成。

20、芯百特

芯百特的小基站功放器件CB6318，支持频段（3300-3600Mhz），实现标准50欧姆输入输出匹配，支持5G Bands 22，42，n77，and n78；可支持100Mhz的高宽带；针对DPD优化，采用Dorherty架构，以确保兼顾线性度和效率，具备系统稳定性和抗干扰能力强两大特点。通过SMD及LGA封装结构优化，芯片的厚度变得更薄，散热能力也更强。在GaAs HBT工艺和SiP封装的加持下，CB6318能够实现小基站功放的最佳性价比。

21、明夷科技

明夷科技的四款4W系列砷化镓高效率功率放大器芯片，频率分别覆盖：1.8GHz (型号MYS11301)、2.1GHz (型号MYS22301)、2.3GHz (型号MYS22314)、2.6GHz (型号MYS22302)，采用GaAs HBT工艺，采用系统布局更简洁灵活的集成结构，应用Doherty架构来实现高效率，同时具备高增益、宽IBW处理能力和高开环线性，可以通过搭配外部通用的DPD系统来实现高闭环线性。主要用于FDD/TDD 4G/5G通讯小基站末级场景。

22、至晟微

至晟微的5G微基站氮化镓末级功放芯片NV9398系列，采用GaN pHemt工艺技术，采用系统布局更简洁灵活的集成结构，运用了大峰均比宽带Doherty设计方案。得益于以上设计，NV9398的工作带宽覆盖了3.3-3.8GHz n78全频段，并且在30-35dBm不同功率等级下都能获得40-45%的发射效率和支持2~3个100MHz载波校准-50dBc以下的线性度，在业内展现出了十分优异的性能表现。能够更加适应室内覆盖应用中不同微站功率等级的配置需求。

23、中森电子

中森电子的JS9092型低噪声射频放大器芯片，一款带使能关闭功能的低噪声射频功率放大器芯片，工作频率范围覆盖350MHz~4.2GHz。该款产品主要应用在无线通信系统方案中，该款低噪声射频功率放大器芯片采用+5.0V单电源供电。在工作频率为1500MHz时，可以提供20.0dB的小信号增益和高于18.0dBm的输出OP1dB，噪声系数小于0.6dB。正常工作模式静态电流小于62mA，关闭模式电流小于4mA。当采用+3.3V单电源供电时，正常工作模式静态电流会进一步减小到33mA，该款芯片外形采用常规型的DFN8表贴封装。该款芯片基于国内成熟的GaAs工艺线生产制造，可原位替换国内外同类型产品，适用于移动通信、卫星通信、卫星导航、移动手持式设备、WiFi和Bluetooth通信、射频微波通信系统等领域。

24、芯灵通

芯灵通的功率放大器产品：ATF61501，频率覆盖范围5.15-5.925GHz，小信号增益30dB， Psat为32dBm；ATF61201，频率覆盖范围2.141-2.484GHz，小信号增益32dB， Psat为31dBm。芯灵通的低噪声放大器产品：ATF62527，频率覆盖范围5.15-5.925GHz，LNA增益15dB，噪声系数1.8dB；ATF62227，频率覆盖范围2.141-2.484GHz，LNA增益15dB，噪声系数1.6dB。

25、浩瀚芯光

浩瀚芯光的MH369，一款宽带GaAs功率放大器芯片，芯片工作频率覆盖2GHz~6GHz。芯片采用双电源供电，典型工作电压为VD=+8V，VG=-0.8V；连续波模式下可提供32dB小信号增益和34dBm 1dB增益压缩点输出功率，同时具有45%的典型附加效率；该芯片可以被应用在雷达微波收发组件及大功率固态发射机中，芯片采用境内工艺能够满足国产化应用需求。

26、能讯半导体

能讯半导体的DOD1H2425-600EF（2.4-2.5G 600W），采用陶瓷1230封装，尺寸32*9.4*4.52mm；除在常规的2450±15MHz下性能表现优异之外，凭借独特的设计，该产品可以在更大带宽下使用，2450±50MHz实测Psat保持＜0.3db的平坦度；热阻参考值：单side热阻（FEA）为0.7°C/W。在200°C结温下，其MTTF达到10^7小时，10倍于正常标准下的10^6小时，极大的提升了系统长期运行可靠性。

27、华太电子

华太电子作为小米对讲机射频功率放大器的供应商，致力于为其提供高质量的产品。小米全系列对讲机均采用了华太的射频功率放大器级联方案，其中新款小米汽车SU7配套的机型是小米对讲机3，华太提供了高性价比的单电池4~5W PA方案选择：比如HTU7G06S0P6P+ HTU7G06S004P或者HTU7G06S0P5P+ HTU7G06S005P等，业内低成本方案满足客户差异化需求。

28、MACOM

MACOM的PURE CARBIDE系列GaN-on-SiC功率放大器，采用最新的GaN-on-Si和GaN-on-SiC技术设计，提供从2W到超过2KW的输出功率水平，并在增益和效率方面表现出一流的射频性能，可为最苛刻的应用提供高性能和可靠性，适用于航空航天和国防应用以及5G无线基础设施的挑战性要求。

29、Wolfspeed

Wolfspeed的四种新型高功率Doherty晶体管实现了GaN on SiC用于蜂窝发射机放大器的优势。这一最新一代48V产品的目标频率为2.3GHz以上至4GHz，可实现5G所需的高性能放大器，并为设计人员提供设计低成本、更小和绿色蜂窝无线所需的灵活性。所有四款产品均采用无耳法兰的散热增强封装。

GTRB246608FC：2300-2400MHz HEMT提供49.3dBm的POUT(avg)、57.8dBm的Psat、52%的效率和15dB的增益，以及100MHz的宽IBW。

GTRB266908FC：用于多标准蜂窝功率放大器的500W (P3dB)、2515-2675MHz RF GaN on SiC HEMT在P3dB时提供549W的POUT和69.2%的效率。它提供50.1dBm的POUT(avg)、57.8dBm的Psat、48%的效率、15dB的增益，以及更高的194MHz IBW。

GTRB384608FC：对于440W POUT @ P3dB，这个器件可在3300 - 3800MHz 频率范围内进行设计，提供47.5dBm的POUT(avg)、56.1dBm的Psat、42%的效率、13dB的增益和200MHz的IBW。

GTRB424908FC：GTRB424908FC在3700-4000MHz的高频段运行，具有450W (P3dB) 的GaN HEMT，47.5dBm的指定POUT(avg)、56.1dBm的Psat、40%的效率、13dB的增益，以及280MHz的大IBW。

Wolfspeed为电信系统提供广泛的GaN on SiC晶体管组合，支持所有全球标准和频段。

30、住友

住友的五种X波段射频固态功率放大器 (SSPA)，效率都在38%左右。它们是 SGC8595-300B-R（8.5-9.5GHz，235至270W）、SGC0910-300B-R（9.0-10.0GHz，235至270W）、SGC1011-300B-R（9.8-10.5GHz，220至250W） 、SGM6906VU（9.2-9.5GHz，43.7W）和SGM6901VU（8.5-10.1GHz，21.4至24W）。该大功率GaN产品能够应对这些新型雷达的SWAP-C挑战，同时与电子管放大器相比还提高了的可靠性。

31、时代速信

时代速信的三颗2W系列微波线性功率放大器芯片，采用6V供电，频率分别覆盖12-16GHz(型号GSP01502AQ)、16-20GHz(型号GSP01802AQ)和21-24GHz(型号GSP02302AQ)，三阶交调失真@+20dBm SCL均优于-44dBc。其覆盖了目前微波点对点通信市场的主流频段，为国产品牌首次成体系推出该类型芯片，同时具备明显的成本优势和供应保障。主要用于微波点对点通信、卫星通讯以及无线通用场景。

32、地芯科技

地芯科技的GC0658是一款5/8波段线性功率放大器（PAM），通常在2.4V电源下工作，同时在1.8V电源下也能正常工作，满足大多数低电压应用。GC0658专门优化其性能在B5(824-849Mhz)和B8(880-915Mhz)的波段范围内。GC0658是一种10-pad的贴片PAM，具有效率高、低温变化、可靠性强、坚固耐用的特点，其封装为体积小的LGA 2.5mmx2.0mmx0.75mm，主要设计用于低压电源下的物联网应用，如NB-IOT。

33、猎芯半导体

猎芯半导体的高功率OC568x系列5G射频PA芯片，总面积和物料成本仅为国际行业领先者标杆产品的一半，该芯片支持中国广电的5G n28（700MHz）频段，同时也完全兼容现存主流4G/LTE多模多频等技术要求。

34、三伍微

三伍微专注Wi-Fi FEM赛道，打造了五个研发小组，分别是2.4G PA研发小组、5.8G PA研发小组、6G PA研发小组、5-7G PA研发小组和开关/LNA/模拟研发小组。

35、雷迅科

雷迅科的LXK6626是一颗2.4G Wi-Fi功率放大器芯片，封装QFN (16-pin, 3mm x 3mm x 0.75mm)，主要应用在802.11b/g/n/ac无线局域网系统，如：消费、商业以及企业领域的无线路由器以及无线AP设备，其提高设备的发射功率，以使设备提高传输距离，加大覆盖范围以及增强穿墙能力。芯片具有高增益、高线性、高稳定性以及高可靠性的优异性能，采用有源偏置电路，具有温度补偿与功率检测功能。

③、射频功放芯片选型

在选择射频功放芯片时，需要综合考虑多个因素，以确保所选芯片能够满足特定应用场景的需求。以下是一些关键的选型原则：

3.1、频率范围

射频功放芯片的工作频率范围是其最基本的技术参数之一。在选择时，需要确保所选芯片的频率范围能够覆盖目标应用所需的频段。例如，对于移动通信系统，需要选择能够覆盖相应通信标准（如2G、3G、4G、5G等）所需频段的射频功放芯片。

3.2、输出功率

输出功率是射频功放芯片的重要指标之一，它决定了信号的发射强度和覆盖范围。在选择时，需要根据目标应用的通信距离和覆盖范围来确定所需的输出功率。一般来说，输出功率越大，通信距离越远，但相应的功耗和散热要求也会更高。因此，需要在满足通信需求的前提下，尽量选择功耗和散热性能较好的射频功放芯片。

3.3、效率

效率是衡量射频功放芯片性能优劣的重要指标之一。它表示芯片将输入功率转换为输出功率的能力。高效率的射频功放芯片能够降低功耗、减少发热量，并延长设备的电池寿命。在选择时，需要优先考虑具有高效率特性的射频功放芯片。

3.4、线性度

线性度是射频功放芯片的另一个重要指标，它决定了信号在放大过程中的失真程度。良好的线性度能够确保信号在放大过程中保持较小的失真，从而提高通信质量。在选择时，需要选择具有优异线性度特性的射频功放芯片，以确保信号的准确性和可靠性。

3.5、噪声性能

噪声性能是衡量射频功放芯片性能的一个重要方面。它表示芯片在放大信号时产生的噪声水平。低噪声的射频功放芯片能够减少信号在传输过程中的干扰和失真，从而提高通信质量。在选择时，需要优先考虑具有低噪声特性的射频功放芯片。

3.6、封装形式

射频功放芯片的封装形式对其性能和可靠性具有重要影响。在选择时，需要根据目标应用的安装空间、散热要求以及成本等因素来确定合适的封装形式。常见的封装形式包括表面贴装封装（SMD）、陶瓷封装以及金属封装等。每种封装形式都有其独特的优点和适用范围，需要根据具体需求进行选择。

3.7、可靠性

可靠性是衡量射频功放芯片质量的一个重要指标。它表示芯片在长时间工作过程中的稳定性和可靠性。在选择时，需要选择经过严格测试和认证、具有高可靠性的射频功放芯片，以确保通信系统的稳定性和可靠性。

3.8、成本

成本是选择射频功放芯片时需要考虑的一个重要因素。不同的射频功放芯片在价格上可能存在较大差异，这取决于其性能、品牌、生产工艺等因素。在选择时，需要在满足性能需求的前提下，尽量选择成本较低、性价比高的射频功放芯片。

3.9、技术支持与服务

在选择射频功放芯片时，还需要考虑供应商的技术支持和服务能力。一个优秀的供应商能够提供全面的技术支持和售后服务，包括产品设计、测试、生产以及后期维护等方面的支持。这有助于降低产品开发周期和成本，提高产品的质量和可靠性。

3.10、法规与标准

在选择射频功放芯片时，还需要考虑相关的法规和标准要求。例如，对于无线通信设备，需要满足相关的频谱管理法规、电磁兼容性标准以及安全标准等。在选择射频功放芯片时，需要确保其符合相关的法规和标准要求，以避免因违规使用而带来的法律风险和安全隐患。

在市场需求与技术要求的双重强劲驱动下，射频前端芯片/模组，尤其是其中的射频功放芯片，正逐步成为行业内增长最为迅猛的方向之一。根据Yole预测，到2025 年，射频功放芯片市场规模将攀升至104亿美元，这无疑彰显出该领域所蕴含的广阔市场空间。当前，虽然国产射频企业在全球市场格局中仍处于奋力追赶的阶段，但随着国内技术的不断突破以及国产化替代进程的深度推进，加之5G、WiFi、物联网等新兴领域的蓬勃兴起，国产射频企业迎来了前所未有的发展契机。在此背景下，越来越多的国产射频放大器企业开始在市场中崭露头角，凭借自身的技术实力与创新能力，逐步打破了长期以来国外产品在该领域的垄断局面，为国产射频产业的崛起注入了强大动力。

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