北京
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金融界2024年12月23日消息，国家知识产权局信息显示，兆易创新科技集团股份有限公司申请一项名为“种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN 119156009 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体制造工艺技术领域。该方法包括：提供衬底，衬底上形成有存储区域，存储区域形成有存储晶体管的栅极结构；对对应于存储晶体管源极的存储区域的衬底上部，通过第一制备工艺形成存储晶体管的源极；通过第二制备工艺形成存储晶体管的漏极触点和源极触点，其中，第一制备工艺与第二制备工艺不同。本公开能够有效降低半导体结构存储单元的尺寸。
本文源自：金融界
作者：情报员
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