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金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119133254 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本说明书实施方式提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：基底；所述基底包括衬底和栅极结构；所述衬底形成有阱区、源漏区和轻掺杂区；其中，所述阱区包括沟道区域；所述栅极结构设置于所述沟道区域的表面；所述轻掺杂区位于所述源漏区与所述沟道区域之间；接触结构；所述接触结构设置在所述源漏区的表面；其中，所述接触结构与所述栅极结构之间形成位于所述轻掺杂区上的空气间隙。如此，可以通过空气间隙向轻掺杂区补注离子，以弥补制备过程中对于轻掺杂区离子的损耗。
本文源自：金融界
作者：情报员
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