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金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“写噪声容限的测量方法、装置、存储介质及设备”的专利，公开号 CN 119132362 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种写噪声容限的测量方法、装置、存储介质及设备。所述方法包括：获取反映待测SRAM存储单元中反相器特征的写蝴蝶曲线，所述写蝴蝶曲线包括第一曲线以及第二曲线；遍历所述第一曲线及第二曲线，得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的所有内接正方形的边长集合；将所述所有内接正方形的边长集合中最大边长，作为写噪声容限。采用本发明的方案，不仅可以提高测量效率，还可以提高写噪声容限的准确性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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