金融界2024年12月5日消息,国家知识产权局信息显示,芜湖长信科技股份有限公司申请一项名为“一种a-IGZO薄膜传感阵列的影像传感器及其制备方法”的专利,公开号 CN 119069496 A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本发明公开了一种a‑IGZO薄膜传感阵列的影像传感器及其制备方法,涉及半导体技术领域,旨在解决当前X射线成像传感器的性能受限于较低电子迁移率和较高噪声的技术问题,包括TFT阵列基板,TFT阵列基板上设置有栅极线条,且TFT阵列基板上设置有栅极线条的一侧设置有绝缘层,绝缘层远离TFT阵列基板的一侧中部设置有α‑IGZO薄膜岛,且绝缘层远离TFT阵列基板一侧位于α‑IGZO薄膜岛的两端处均设置有金属层,金属层远离绝缘层的一侧分别加工有源极和漏极,本发明通过优化TFT阵列基板设计、采用高性能的α‑IGZO TFT器件,并对比非晶硅TFT,具备高电子迁移率、低噪声和低温制备的特性,提升了成像质量,降低了辐射剂量,并且提高了诊断准确性提供了有力支持。
本文源自:金融界
作者:情报员
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