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金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，日月新半导体（昆山）有限公司申请一项名为“改善晶球底部的底切现象的方法”的专利，公开号CN 119028833 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了改善晶球底部的底切现象的方法，属于晶圆封装技术领域。本发明通过采用等离子体蚀刻这一干法蚀刻方式取代H2O2湿式化学蚀刻，由于干法蚀刻中的离子是物理撞击目标，没有选择性，属于非等向性蚀刻，因此无底切现象产生，本发明在设计掩膜版时，将掩模版的凸块图形的尺寸扩大为凸块尺寸+底切宽度，并根据湿法蚀刻属于等相性蚀刻的原理，在TiW层蚀刻之后再增加一次Au层蚀刻制程，通过控制蚀刻量，将凸块的尺寸蚀刻到与TiW层尺寸一致，这样就相当于没有了底切，从而消除了底切现象。
本文源自：金融界
作者：情报员
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