【IC风云榜候选企业62】镓仁半导体：突破国外技术垄断，推动氧化镓产业高质量发展

【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

【候选企业】杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）

【候选奖项】年度优秀科技成果转化奖

【候选项目】大尺寸高质量低成本氧化镓单晶衬底及氧化镓专用长晶设备国产化项目

杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，位于浙江省杭州市萧山区，是一家专注于宽禁带半导体氧化镓单晶材料研发、生产和销售的科技型企业。依托于浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，镓仁半导体已建成以中国科学院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。

镓仁半导体推进的“大尺寸高质量低成本氧化镓单晶衬底及氧化镓专用长晶设备国产化项目”已取得一系列创新成果，具体如下：

在产品方面，镓仁半导体推出了国内首台无铱氧化镓专用晶体生长设备。设备采用非铱（Ir）坩埚材料，满足氧化镓生长所需的高温和高氧环境，团队通过自主设计了独特的复合测温技术和控温算法，确保晶体生长过程的稳定性、均匀性和一致性。同时该设备实现了全自动化晶体生长流程，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。通过该设备制备的氧化镓晶体为柱状外形，通过工艺控制可获得多种不同晶面的大尺寸单晶。且支持向更大尺寸单晶的升级，以适应不断发展的外延技术和器件需求。

在技术创新方面，镓仁半导体开创了铸造法氧化镓单晶生长新技术。铸造法是由杨德仁院士团队自主研发，用于生长氧化镓单晶的新型熔体法技术。从成功实现6英寸铸造法单晶生长，到突破3英寸晶圆级(010)衬底制备技术，镓仁半导体取得了一系列令人瞩目的技术成果。2022年5月，镓仁半导体团队采用铸造法成功生长出2英寸氧化镓单晶。经过持续迭代、不断创新，于2023年5月成功生长出4英寸氧化镓单晶。2024年2月就突破了6英寸氧化镓单晶的生长。

铸造法具有成本低、简单可控和完全自主知识产权的显著优势。由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；铸造法的工艺流程短、效率高、尺寸易放大；铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。

镓仁半导体突破了直拉法的门槛，成为全球第三家掌握该技术的公司。目前该公司已成功制备出3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底，是国际上已报道的最大尺寸，达到国际领先水平。首先，（010）衬底热导率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）衬底具有较快的外延生长速率；第三，基于（010）衬底制备的器件具有更优异的性能。镓仁半导体推出晶圆级（010）氧化镓单晶衬底产品，满足科研领域对（010）衬底的需求，促进业内产学研协同合作。

据了解，镓仁半导体“大尺寸高质量低成本氧化镓单晶衬底及氧化镓专用长晶设备国产化项目”获得了国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业，并牵头获批浙江省2023年“领雁”研发攻关计划资助以及杭州市萧山区“5213”卓越类计划扶持，具有雄厚的生产研发实力。

成立仅仅2年时间，镓仁半导体就获得了三轮融资，得到了九智资本、普华资本、蓝驰创投、禹泉资本和

毅岭资本的资金支持。今年8月，镓仁半导体与杭州银行签订战略合作协议，进一步深化与金融机构的合作，共同探索科技与金融深度融合的新模式、新路径。

镓仁半导体表示，未来团队将继续开展自主创新工作，逐步突破更低成本、更高质量的氧化镓衬底，推动氧化镓产业高质量发展。

【奖项申报入口】

2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度优秀科技成果转化奖】

为表彰在高校科技成果转化领域中做出杰出贡献的教授及其团队，激励更多优质科技成果从实验室走向市场，促进科技与经济的深度融合，特制定年度优秀科技成果转化奖评选标准。

【报名条件】

1、成果要求：申报项目需为近五年内完成并成功转化的科技成果，具有显著的技术创新性和市场应用前景。
2、单位资质：申报单位应为具有独立法人资格的企业，并具备良好的科研条件和成果转化能力。
3、产权清晰：科技成果的知识产权归属明确，无法律纠纷和争议。
4、效益显著：科技成果转化后产生了明显的经济效益或社会效益，推动了相关行业或领域的发展。

【评选标准】

1、技术创新性与难度、经济与社会效益、
2、行业影响与推动、转化效率与成熟度、
3、知识产权管理。