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金融界2024年11月9日消息，国家知识产权局信息显示，武汉高芯科技有限公司申请一项名为“减少表面缺陷的水平液相外延石墨舟以及水平液相外延生长方法”的专利，公开号CN 118910719 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明涉及一种减少表面缺陷的水平液相外延石墨舟，包括衬底板、母液板和母液盖板，母液板上设有用于容置生长母液的生长母液槽以及用于容置牺牲母液的牺牲母液槽；衬底板上设有衬底槽；母液板与衬底板之间可相对活动，以致衬底槽能够与牺牲母液槽与相对或分离，以及衬底槽能够与生长母液槽与相对或分离。相应地还提供一种水平液相外延生长方法。本发明中，在母液板上设置牺牲母液槽，在外延生长前可以通过牺牲母液对衬底表面进行回融清洗，清洗掉衬底表面掉落的碳颗粒等污物，同时衬底回融对衬底材料沉淀相夹杂物及高温汞蒸气作用产生的衬底缺陷有一定的减轻作用，因此本发明能减少衬底表面沾污及缺陷对外延生长的影响，有效地提高外延产品的质量。
本文源自：金融界
作者：情报员
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