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金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN 118804591 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构的制备方法。该方法包括：形成一字元线在一第一介电层中，该第一介电层位于一基底的上方；形成一通道层穿过该字元线；形成一导电材料在该通道层的上方；形成一蚀刻停止层在该导电材料的上方；图案化该蚀刻停止层以形成一导电垫的一图案；将蚀刻停止层的图案作为一蚀刻遮罩蚀刻该导电材料以形成一导电垫；沉积一第二介电层在该蚀刻停止层和该第一介电层的上方；平坦化该第二介电层，其中平坦化后在该导电垫上留下该蚀刻停止层的至少一部分；以及通过蚀刻该导电垫的一部分和该第二介电层的一部分，在该第二介电层中形成一第二沟槽。形成该第二沟槽会导致在该第二沟槽中形成的一位元线与该导电垫电耦合。
本文源自：金融界
作者：情报员
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