北京
分享至
金融界2024年10月24日消息，国家知识产权局信息显示，杭州芯迈半导体技术有限公司申请一项名为“一种具有MGD结构的屏蔽栅沟槽器件及其制作方法”的专利，公开号 CN 118800802 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种具有MGD结构的屏蔽栅沟槽器件及其制作方法，在普通SGT器件中集成了MGD结构，其中，基底所在平面划分有沿预设方向交替设置的屏蔽栅沟槽型晶体管区域与MOS栅控二极管区域，两种区域中分别设有第一沟槽与第二沟槽，MGD结构包括位于第二沟槽中的第二屏蔽栅氧化层、第二屏蔽栅多晶硅层、第二隔离层、第三屏蔽栅氧化层与第三屏蔽栅多晶硅层，第二屏蔽栅多晶硅层与第三屏蔽栅多晶硅层均接源极电位。本发明可降低器件源漏电压Vsd，同时降低反向恢复电荷Qrr与反向恢复时间Trr，有助于提高电路效率，其中，在器件关断的时候，电路提供抽取电流，将反向恢复电荷Qrr从外延层中抽取至MGD结构的上层多晶硅层排出。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
