闻泰科技发力碳化硅领域，1200V SiC MOSFET强劲助力电动汽车发展

SiC（碳化硅）相较于传统硅器件，能够显著降低损耗，因此在智能电网、新能源汽车中备受青睐。闻泰科技半导体业务积极布局第三代半导体领域，加速发力SiC技术，迎接未来广阔发展机遇。

碳化硅（SiC）俗称金刚砂，是硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物。SiC晶体管是天然的E型MOSFET，导通电阻远低于硅MOSFET，因而能效更高。此外，其高压、高电流的特性使其很适合用于汽车电源电路。

随着全球对新能源汽车的加速推广，SiC的需求呈现爆炸式增长。EVTank数据显示，2023年全球新能源汽车销量达到1465.3万辆，同比增长35.4%，预计到2030年将达到4700万辆。受益于汽车电气化的持续推进，市场对SiC的需求增长明显，过去5年，特斯拉和比亚迪等OEM的汽车中SiC MOSFET的采用量出现了惊人的增长。

光伏风电和储能也是SiC快速发展的重要推动力。同时叠加“双碳”战略的推动，给SiC市场带来了巨大的潜力。Yole Group预测，到2029年，功率SiC器件市场将达到近100亿美元。

对于汽车领域来说，为了克服电车续航里程和充电速度上的两大短板，电动汽车行业正加速升级电池系统。功率更高的电压系统需要1200V的耐压功率芯片，所以1200V的SiC功率器件是业界共同的发力方向。

目前公司半导体业务已成功研发出具有性能优异的1200V SiC MOSFET，不同规格以及封装灵活的SiC MOSFET器件，可以满足电动汽车OBC、充电桩、不间断电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业市场。

通过创新工艺技术，公司半导体业务的SiC MOSFET产品组合在多个参数上实现了一流的性能：

1. 出色的导通电阻温度稳定性。在25℃至175℃范围内，RDS(on)标称值仅增加30%

2.出众的综合品质因数FoM。综合损耗更小，效率更高，增强器件可靠性

3. 出色的阈值电压稳定性。均衡的载流性能，高稳健性，能够延长产品寿命

4. 低体二极管正向压降。有助于提高器件稳健性和效率，放宽死区时间要求

公司半导体业务在SiC领域的创新和产品开发为未来的增长奠定了坚实的基础。随着全球对高效率、低功耗电力电子器件的需求不断增长，闻泰科技半导体业务的产品有望在智能电网、新能源汽车、光伏风电和储能等领域发挥更大的作用，进一步推动行业的持续发展和创新。