2024Q2消费类NANDFlash环比大增 三星公布DDR发展路线图

甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪：2024Q2消费类NANDFlash环比大增，三星公布DDR发展路线图。

以下为研究报告摘要：

NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，2024Q2消费类NAND Flash市场规模环比增长18.6%至180.0亿美元。根据DRAMexchange，上周（0902-0906）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.32%至15.97%，平均涨跌幅为1.72%。其中4个料号价格持平，12个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据经济观察网援引CFM闪存市场数据，2024年二季度全球NANDFlash（非易失性存储器）市场规模环比增长18.6%至180.0亿美元，DRAM（易失性存储器）市场规模环比增长24.9%至234.2亿美元。全球存储市场规模二季度环比增长22.1%至414.2亿美元，同比大增108.7%。

DRAM：颗粒价格小幅波动，三星公布DDR发展路线图。根据DRAMexchange，上周（0902-0906）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.02%至-0.04%，平均涨跌幅为-0.82%。上周0个料号呈上涨趋势，18个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子DS部门存储器业务的总裁兼总经理JungbaeLee展示了三星电子未来内存产品的发展蓝图。根据这一路线图，三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存，该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量。展望2027年，三星电子将迈入10nm以下级DRAM制程节点，届时将发布采用0a nm工艺的DDR内存产品，并且内存单颗粒的容量将显著提升至48Gb，即6GB。

HBM：SK海力士利川工厂M10F转型HBM生产线。根据CFM闪存市场报道，SK海力士在其利川半导体工厂“M10F”生产第五代高带宽存储器（HBM）。SK海力士目前正在建设基础设施，以应对HBM快速增长的需求。

市场端：渠道SSD和内存价格价格小幅下跌。上周（0902-0906）eMMC价格环比持平，UFS价格环比持平。根据CFM闪存市场报道，今年前两季度，全球PC市场出货量增长缓慢，国内市场尤为严峻，同比下滑明显。三季度国内需求持续低迷，PC存储产品供需失衡，库存缓慢消化，SSD和内存条价格小幅下调。嵌入式领域，合约价谈判进展不一，但市场谨慎观望。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（甬兴证券 陈宇哲 ）

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