集微咨询韩晓敏：明年起SiC短缺缓解，2028年全球市场规模有望超400亿元

6月28日-29日，以“跨越边界 新质未来”为主题的2024第八届集微半导体大会在厦门国际会议中心酒店隆重召开。作为本届大会重要的亮点环节，“第二届集微半导体制造大会暨产业链突破奖颁奖典礼”同期举行。

制造大会紧扣快速推动中国半导体制造技术的共同目标，旨在搭建半导体制造领域的交流平台，以“独立演讲+圆桌讨论+奖项颁发+榜单发布”形式，发挥半导体制造大会的载体作用和平台影响，展示设备材料企业的突出成就，促进设备材料与制造封测上下游之间的深度对话，探讨“卡脖子”痛点及突破之道，助力半导体制造国产化提速。

分享环节中，集微咨询咨询业务部总经理韩晓敏聚焦新一代功率半导体创新与应用，并带来《SiC产业发展分析》主题分享。

2028年SiC器件市场规模有望超400亿元

SiC产业链分为上中下游三个环节，上游包括衬底和外延的生长，中游包括设计制造、下游是应用环节，主要是功率电子市场，包括轨道交通、光伏逆变器、新能源汽车以及消费类电子等。韩晓敏分析认为，从各环节价值来看，材料端（衬底、外延）占比近一半，但随着材料环节向着8寸等方向的进展，材料端价值占比将会逐年降低，预计将从2023年的48.5%降至2028年的35.6%，而“设计+制造”环节价值量占比有望从2023年的41.2%提升至2028年的50%。

市场规模方面，经集微咨询测算，2022年中国SiC器件市场规模约90亿元，2023年约130亿元，主要的增长动力来源于新能源汽车，包括新建大功率直流充电桩等需求，其中，新能源汽车市场规模约为88.4亿元，充电桩市场约为24.5亿元，风光储及工业电源分别为9.75亿元、6.5亿元。

未来随着大范围应用于光伏、工业电源及轨道列车等领域，包括5G基建电源、数据中心及工业互联网等服务器电源、特高压柔性输电、城际轨道交通、高铁等领域，SiC器件市场规模将快速增长，预计到2028年超过400亿元，新能源汽车及充电桩市场仍是主要应用领域，市场规模预计分别为295.4亿元、61.1亿元。

韩晓敏分析认为，SiC功率半导体首先在高性能车型C级别中取得应用，然后逐步渗透到B级车和部分A级轿车，特斯拉新一代车“SiC+IGBT”使用方案的提出，也将带动SiC在A级车市场的渗透率。

SiC材料端方面，2023年6英寸N型衬底约780美元/片，批量订单中8英寸衬底价格是6英寸价格3倍，预计2026年8英寸衬底价格下降至1800美元/片，8 英寸SiC晶圆优质裸片的产量是6英寸SiC晶圆的1.8~1.9倍，可使衬底成本降低30%左右。

2022年全球衬底市场前五供应商分别为Wolfspeed、Coherent（原II-VI）、Sicrystal（2009年被Rohm收购）、天科合达、SK Siltron，目前由于没有大批量的8英寸衬底产品供货，伴随下游需求爆发，从2022年开始国际产能供不应求，衬底订单持续饱满。

据集微咨询统计分析，2023年全球SiC衬底总需求(折算6英寸)约120万片，有效产能约95万片(折算6英寸)；得益于新建产线逐步开始释放产能，预计到2025年全球衬底需求约250~300万片，而全球有效产能为300万片，紧缺状态将有所缓解。

外延片方面，国际供应商大多是IDM环节的延伸，主要企业有Wolfspeed、Coherent、昭和电工（Resonac）等；国内市场外延环节以单环节为主，企业数量虽然不多但规划产能较大，集微咨询分析认为，若规划产能全部落地，预计到2025年基本能完全满足国内市场对SiC外延片的需求。

目前国内外厂商主要采用外延设备基本相同，外延制备技术水平差距不大，尤其在中低压以下应用领域的SiC外延材料产业化制备技术方面差距较小。值得注意的是，国内企业逐步开始有设备供货，包括中电科48所等。

2025年底国产SiC芯片开始上车

韩晓敏进一步分享了SiC器件端产业进展情况。

目前国内设计/制造企业产品大多以低利润的SBD产品为主，主要应用在光伏、工业电源等领域，由于市场渗透加快，国外产品供给不足，为国产替代赢得机会，以三安、积塔等为代表的IDM和代工企业，经过前几年积累，逐步攻克SiC MOSFET制造工艺，纷纷加快MOSFET量产进程。

与此同时，国内设计企业产品已经在和车企联合做下一代车型的产品上车验证工作。预计到2025年年底，清纯科技、派恩杰、飞逞、瑶芯微、积塔(代工厂)、芯联集成(代工厂)等国产芯片开始正式上车，同时8英寸产品逐渐开始量产，也会加速降价。

全球市场方面，据集微咨询不完全统计，全球已有超过50家公司活跃在SiC产业链各环节，国际企业大多对产业链进行多环节部署，传统硅功率器件龙头制造商也都活跃在SiC领域，2023年与SiC相关的扩产项目以及预期资本支出加起来总金额已超千亿元。目前基本已经完成各领域的垂直整合，更大力度在材料及晶圆的生产制造端进行投资扩产，主要围绕衬底、外延、器件进行，应用方向也以电动汽车为主。

国内企业也在积极探索SiC的产业化发展，加速形成完整的产业链结构，主流企业持续扩产布局，产业进入扩张期，以产能扩充为主要特征。各企业在抢占第三代半导体上游供应资源的同时，产业链合作水平不断提升，地缘政治加速了国产替代进程。

最后，韩晓敏表示，国内设计企业发展将从模组厂开始投资建设产线，再逐步投资建设晶圆产线，转IDM模式，与国内发展较好的代工厂深度绑定这两条发展途径。