【硬件资讯】锲而不舍的三星！遇冷后仍将继续推动，三星内部形成双规制，分别推动HBM4及HBM3E项目。

新 闻①： 传三星HBM开发采用“双规制”，另建团队专门负责HBM4项目

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。虽然三星是全球最大的存储器制造商，但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士，最近正加大投入，以追赶竞争对手。

据The Elec 报道 ，三星另外组建了团队专门负责HBM4项目，从3月起将以往的HBM4工作组转变为常设的办公室。与此同时，现阶段HBM3E的开发和量产工作则由原来的DRAM设计团队负责。三星之所以在HBM开发上选择采用“双规制”策略，是为了加快HBM产品的开发进度，以便赶超竞争对手，抢夺高附加值DRAM市场。

负责HBM4开发的新团队由三星DRAM开发副总裁Hwang Sang-joon负责，并直接向三星存储芯片业务总裁Lee Jung-base汇报工作，内部也通过调整主要人员等手段来加强新建开发团队的实力。上个月三星还 发表 了一篇采访文章，介绍了目前HBM产品的开发情况，并再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。

据三星介绍，随着硬件的多功能性变得更加重要，HBM4在设计上也会针对不用的服务应用进行优化，计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（比如8/12/16层堆叠）来应对。为了解决功耗墙的问题，首个创新将从使用逻辑工艺的基础芯片开始，随后是第二个创新，从当前2.5D HBM逐步发展到3D HBM，最后预计会出现第三次创新，比如HBM-PIM，也就是具备计算功能的内存半导体技术，这点之前三星已经有过介绍。

之前还有 传言 称，三星打算在下一代HBM4引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术。

原文链接：https://www.expreview.com/93719.html

昨天我们刚刚讲了三星又双叒叕没能通过NVIDIA的验证，但三星似乎并没有气馁，或者说对于DRAM厂商来说，探究HBM内存是必行的路。三星仍将继续推进HBM3E项目，并且或许是为了不在新领域再次落于人后，三星还建立了新的团队专门负责HBM4开发，以期弯道超车。其实这不见得是好事，HBM内存的研发一直是一代接一代，往往是承接上一代的技术，如果三星选择新团队推动HBM4，那在HBM3及HBM3E上的很多突破或技术将得不到第一时间的应用，不知道会不会影响整体进度，贪快反而慢了。

新 闻 ②： SK 海力士：HBM3E 内存良率已接近 80%，生产效率也已翻倍，

SK 海力士产量主管 Kwon Jae-soon 近日向英国《金融时报》表示，该企业的 HBM3E 内存良率已接近 80%。

相较传统内存产品，HBM 的制造过程涉及在 DRAM 层间建立 TSV（IT之家注：Through Silicon Via）硅通孔和多次的芯片键合，复杂程度直线上升。一层 DRAM 出现问题就意味着整个 HBM 堆栈的报废。

▲ HBM 内存结构示意图。图源 SK 海力士

因此 HBM 内存，尤其是采用 8 层乃至 12 层堆叠的 HBM3E 产品，天生在良率方面落后于标准 DRAM 内存。

韩媒 DealSite 今年三月初称 当时 HBM 内存的整体良率仅有 65% 左右。这样看来，SK 海力士近期在 HBM3E 内存工艺良率方面实现了明显改进。

Kwon Jae-soon 也提到，SK 海力士目前已将 HBM3E 的生产周期减少了 50%。更短的生产用时意味着更高的生产效率，可为英伟达等下游客户提供更充足的供应。

这位高管再次确认 SK 海力士今年的主要重点是生产 8 层堆叠的 HBM3E，因为该规格目前是客户需求的核心。

Kwon Jae-soon 表示：“在这个人工智能时代，提高产量对于保持领先地位变得越来越重要。”

原文链接：https://m.ithome.com/html/770007.htm

与三星的情况不同，SK海力士在新一代HBM内存上就像是开了挂一样，一直走在前端。最新公布的行业信息指出，海力士的HBM3E内存良率已经来到了80%，生产效率翻倍。这对于海力士的产能将进一步提升，昨天预估的NVIDIA被显存卡脖子的情况可能会有所缓解。另外，在现在的AI芯片需求下，海力士大概率不会因为良率进步而降价，也就是说依旧保持高价提高利润，或许海力士有望成为NVIDIA之下AI第二股。

新 闻 ③ ： HBM3e 今年将成主流，产能挤占将导致下半年 DRAM 供不应求

业内消息称三星、SK 海力士和美光都在积极投资高带宽内存（HBM），而由于产能挤占效应，下半年 DRAM 产品可能会面临短缺。

集邦咨询在报告中认为，三大 DRAM 供应商正在增加先进工艺的晶圆投入。随着存储器合同价格的上涨，各公司都加大了资本投资力度，今年下半年将重点扩大产能，预计到今年年底，1α nm 及以上工艺的晶圆投入量将占 DRAM 晶圆总投入量的约 40%。

由于 HBM 的盈利能力和不断增长的需求，厂商优先考虑生产 HBM，HBM3e 将成为今年的市场主流，出货量将集中在下半年。

由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年，恰逢内存需求旺季，市场对 DDR5 和 LPDDR5 (X) 的需求预计也将增加。

由于分配给 HBM 生产的晶圆投入比例较高，先进工艺的产出将受到限制。因此，下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。

IT之家简要汇总下厂商情况如下：三星预计现有设施将于 2024 年底全部满负荷运转，新的 P4L 工厂预计将于 2025 年竣工，而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米过渡到 1beta 纳米及以上的工艺。

SK 海力士计划明年扩大 M16 工厂的产能，而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工，并于明年年底开始量产。

各主要制造商都将投资 HBM4 的开发，在产能规划中优先考虑 HBM。因此，由于产能拥挤效应，DRAM 供应可能会出现短缺。

原文链接：https://m.ithome.com/html/769596.htm

但HBM内存的高需求对于我们普通消费者并不算好事，按照此条消息阐述，HBM3E的大量需求会挤占DRAM的产能，会导致DRAM内存的短缺和涨价。其实DRAM涨价在去年年底就已经开始了，但到现在反而有些放缓的趋势，按照这个消息来看这个放缓可能会带来更猛烈的增长啊……

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