上个月,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4。据了解,台积电将生产用于HBM4的基础裸片(Base Die),这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。
据AnandTech报道,台积电在近日举办的2024欧洲技术研讨会上表示,将采用N5和N12FFC+工艺制造基础裸片,为HBM4提供前所未有的性能和能源效率。台积电称,正在与主要的HBM内存合作伙伴联手,在先进制程上实现HBM4的全堆栈集成,其中N12FFC+工艺可以在满足性能要求下具备成本优势,N5工艺则可以在更低功耗下达到HBM4预期的速度。
N5是目前最先进的制程工艺之一,用于制造最好的CPU和GPU,现在用到存储器上属于一件大事,比起之前传言中采用的N7工艺更为先进。利用N5工艺,可以将更多的逻辑和功能封装到HBM4的基础裸片里,并实现非常精细的互连间距,这对于逻辑芯片上的直接键合至关重要,从而提高人工智能(AI)和高性能(HPC)所需的内存性能。N12FFC+工艺源自台积电非常成熟的16nm FinFET技术,制造的HBM4基础裸片可用于构建12层及16层堆栈,分别提供48GB和64GB的容量,比起N5工艺更具性价比。
此外,台积电还在优化CoWoS-L和CoWoS-R封装技术,以支持HBM4集成。按照SK海力士和台积电的计划,HBM4预计在2026年投产。
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