广东
薄膜沉积是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层，而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。
薄膜沉积主要分为三大类别：
◈化学气相沉积 CVD（Chemical Vapor Deposition)
◈物理气相沉积 PVD(Phicial Vapor Deposition)
◈原子层气相沉积 ALD(Atomic Layers Deposition)
化学气相沉积CVD通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物，以及一些金属化合物、合金等。
化学气相沉积CVD 设备
◈PECVD 等离子体增加化学气相沉积
PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。
◈HFCVD热丝化学气相沉积设备
研发设计制造了热丝CVD金刚石设备，分为实验型设备和生产型设备两类。
设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。
可用于力学级别、热学级别、光学级别、声学级别的金刚石产品的研发生产。
可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片，用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉。
可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层；环保领域污水处理用的金刚石产品。
可用于平面工件的金刚石薄膜制备，也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。
可用于太阳能薄膜电池的研发与生产。
◈LPCVD低压化学气相沉积设备
是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
◈ MOCVD金属有机物化学气相沉积
可用于GaN、ZnO等的外延生长。
物理气相沉积PVD工艺
在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体） 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜， 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。
物理气相沉积也有多种工艺方法：
◈ 真空蒸镀 Thin Film Vacuum Coating
◈溅射镀膜 PVD-Sputtering
◈ 离子镀膜 Ion-Coating
物理气相沉积PVD设备
物理气相沉积设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。
真空溅射镀膜机
是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
电子束蒸镀机
是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。
高真空电阻热蒸发镀膜机
采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。
分子束外延设备MBE
可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。
分子束外延薄膜生长设备在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。
我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种 ，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。
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