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金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“等离子体沉积方法和等离子体沉积设备“，授权公告号CN110880447B，申请日期为2019年6月。
专利摘要显示，提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
本文源自金融界
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