沃尔德助力倍思、联想等多家大厂提升整机效率

前言

深圳市沃尔德实业有限公司成立于2010年，是一家集半导体分立器件的研发、生产和销售于一体的国家高新技术企业。公司始终坚持以客户为中心，以市场为导向的发展理念，以此帮助终端客户在方案设计时能够有效优化BOM成本、减少Layout空间、改善EMI特性、提升转换效率。目前沃尔德实业在成都、无锡均设有应用中心及研发中心，在分立器件二极管方面已拥有20多项技术专利。

旗下核心产品系列涵盖：桥堆、肖特基、快恢复、开关管、MOS、TVS、ESD、可控硅等，主要应用于消费电子、节能家居、工业设备、新能源、汽车电子等领域。

目前产品已进入OPPO、努比亚、A、RECOM、GREE、倍思、绿联、洛克、麦多多、POWER4、GOOGLE等厂商供应链。

沃尔德实业半导体分立器件

充电头网最近在整理关于沃尔德的历年拆解案例时发现，沃尔德多款软桥、LOW VF整流桥进入倍思、飞利浦、TCL等多家国内外知名大厂供应链，助力设备高效输出，下面小编为您介绍这些沃尔德分立器件。

软桥系列

沃尔德实业的明星产品——软桥，可以通过较软的恢复特性，大幅减少谐波震荡的发生，从而在改善差模传导的同时能够减少使用或改小抑制EMI器件的规格（例如：X电容、共模电感等），最终达成节省成本、节省空间和提供效率的目标。

选用沃尔德实业软桥，其具有有效改善低频传导特性、降低AC输入线杂散线路电感激励、抑制AC电压整流后造成的高频干扰、节约BOM成本等特点。

另外，沃尔德软桥提供ABS、LSB、D3K、GBU、NBS等多种封装形式，满足多种电路的设计需求，适合氮化镓快充、电动车充电器、DC电源适配器等多种应用场景。

沃尔德WRABS20M

沃尔德WRABS20M软桥规格为2A 1000V ，采用ABS封装，工作温度-55到175℃，单颗适合24W+快充场景应用。

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沃尔德WRABS20MF

沃尔德WRABS20MF软桥规格为2A 1000V，采用ABF封装，工作温度-55到175℃，适合24W+场景应用。

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沃尔德WRABS20MG

沃尔德软桥WRABS20MG规格为2A 1000V，采用ABF封装，工作温度-55到175℃，适合24W+高浪涌场景应用。

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沃尔德WRMSB30M

沃尔德WRMSB30M软桥规格为3A 1000V，采用MSB封装，工作温度-55到175℃，适合40W+场景使用。

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沃尔德WRMSB40M

沃尔德WRMSB40M软桥的规格为4A 1000V，采用MSB封装，工作温度-55到175℃，适用50W+场景应用。

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沃尔德WRLSB80M

沃尔德WRLSB80M软桥的规格为8A 1000V，采用LSB封装，工作温度-55到175℃，适合70W+场景应用。

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沃尔德WRLSB60M

沃尔德WRLSB60M软桥的规格为6A 1000V，采用LSB封装，工作温度-55到175℃，适合65W+场景应用。

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沃尔德WRLSB8M0

沃尔德WRLSB80M软桥的规格为8A 1000V，采用LSB封装，工作温度-55到175℃，适合70W+场景应用。

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LOW VF整流桥系列

沃尔德低压桥堆相比普通桥堆VF值会更低，能够有效提升能源转换效率，降低器件温升，提升可靠性。

沃尔德低压桥堆具备良好的温升和效率表现，保证长期可靠性；较低的VF值（1.0以下）；减少损耗，增强空间利用率。产品具备GBJ、RBU、GBU、LSB、MSB等多种封装形式，适合大功率服务器电源、PC电源、超薄氮化镓充电器等场景应用。

沃尔德RBU1506L

沃尔德RBU1506L LOW VF整流桥规格为15A 600V，采用RBU封装，工作温度-55到175℃，适合150W+场景应用。

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充电头网总结

充电头网了解到，选用沃尔德软桥可以有效减少X电容、共模电感、差模电感等EMI抑制器件的使用数量或者减小使用规格，从而简化电源方案，尤其适合小型化、高功率密度的氮化镓快充产品的设计与开发；而沃尔德低压降桥堆相比普通桥堆VF值会更低，能够有效提升能源转换效率，降低器件温升，提升可靠性，更适合高功率电源、快充设备使用。

未来沃尔德还将继续深耕半导体分立器件领域，持续为厂商带来更新、更强、更稳定的分立器件解决方案。

展会预告

深圳市沃尔德实业有限公司参加2024（春季）亚洲充电展，展位在B区B36，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。