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IP 开发商和代工厂之间的设计合作对于电路性能最大化和功耗最小化至关重要。 本周二，Arm 和三星宣布将联合优化 Arm 下一代高性能 Cortex-X 和 Cortex-A 内核的设计，使其适用于三星即将推出的依赖全栅极 (GAA) 多桥沟道 FET (MBCFET) 晶体管的工艺技术。
双方合作的重点是针对三星下一代 2nm 级工艺技术优化 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 通用 CPU 内核，但双方并未透露是否打算为三星预计于 2025 年推出的 SF2 生产节点或预计于 2026 年推出的 SF2P 制造节点定制 Arm 的 IP。
Arm和三星表示，他们将为广泛的应用定制Arm的Cortex-A和Cortex-X内核，包括 "下一代数据中心和基础设施定制芯片"、智能手机以及需要高性能通用CPU内核的各种基于小芯片（chiplet）的解决方案。
Arm公司高级副总裁兼客户业务总经理Chris Bergey表示：“在最新的三星工艺节点上优化Cortex-X和Cortex-A处理器，彰显了我们重新定义移动计算的共同愿景，我们期待着继续突破极限，满足人工智能时代对性能和效率的苛刻要求。”
由于 Arm 和三星之间的合作，两家公司的客户将能够根据他们的定制设计需求，获得三星 2nm 优化版本的 Cortex-A 或 Cortex-X 内核的许可。这将简化开发流程并加快上市时间，这可能意味着我们可能很快就会看到三星为数据中心和邻近应用制造的 2nm 设计。不过，Arm 和三星目前对何时向共同客户提供首批合作成果守口如瓶。
与当今广泛使用的 FinFET 晶体管不同，基于 GAA 纳米片的晶体管可以通过多种方式进行调整，以最大限度地提高性能、优化功耗和/或最大限度地提高晶体管密度。因此，我们预计这两个科技巨头之间的合作将取得令人鼓舞的成果。
虽然 Arm 的 Cortex-A 和 Cortex-X 内核在架构上类似，但 Cortex-X 内核往往具有性能优化功能，使其运行速度更快。这些内核在未来几年内面世时，应能从 Arm 和三星的设计技术共同优化 (DTCO) 中获得显著优势。
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