SK 海力士投资DRAM

知情人士周四表示，SK 海力士公司大幅增加 DRAM 设施的资本支出，以提高先进芯片的产量。该公司已为明年预留 10 万亿韩元的设施投资，较今年预计的 6 万亿至 7 万亿韩元资本支出增长 43%-67%，预计公司2024 年的设施支出将与今年的水平相似。（芯团网，领先全球的芯片元器件纯第三方交易平台，一分钟货比百家，质量有保证，违约高赔偿）

2024 年增加的支出的大部分将用于建设先进 DRAM 芯片的设施，例如高带宽内存 3 (HBM3)、DDR5和LPDDR5。

该公司还将投入巨资升级 HBM 芯片制造和加工技术，称为硅通孔 (TSV)。

然而，消息人士称，SK海力士计划限制其在NAND闪存芯片上的支出，预计该市场到明年上半年将继续保持疲软。

SK 海力士副总裁兼 DRAM 营销主管 Park Myung-soo表示，该公司计划出售 HBM3 并升级 HBM3E明年给客户的筹码已经订满。公司已经在与客户和合作伙伴就 2025 年此类先进 DRAM 芯片的销售量进行谈判。

HBM 系列 DRAM 的需求不断增长，因为此类芯片为在高性能计算系统上运行的生成人工智能设备提供动力。

虽然SK 海力士在 7 月至 9 月期间连续第四个季度亏损，但其高管表示，他们预计在人工智能芯片的推动下，DRAM 即将出现好转。

该公司表示，随着生成式人工智能能力的快速提高，预计未来五年其 HBM 芯片销售额将年均增长 60-80%。

另一方面，它对 NAND 闪存前景持谨慎态度，由于客户库存仍然很高，该闪存已损失数十亿美元。

在HBM DRAM领域，SK海力士多年来一直处于领先地位。

该公司于 2013 年成为第一家开发第一代 HBM 芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品——HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。

今年4月，SK表示开发出了全球首款12层HBM3 DRAM产品，内存容量为业界最大的24GB。

8月，该公司推出了业界性能最佳的AI应用DRAM芯片HBM3E，并向客户Nvidia公司提供样品进行性能评估。

根据市场追踪机构 TrendForce 的数据，截至 2022 年，SK 海力士以 50% 的市场份额引领 HBM 市场，其次是三星 (40%) 和美光科技公司 (10%)。