广东
TrendForce发布了最新市场报告，表示2023年至2027年全球晶圆代工市场成熟制程及先进制程的产能比重大概维持在7:3。其中中国大陆地区致力于推动本土化生产等政策和补贴，积极扩产，预计成熟制程产能占比将从2023年的29%提升至2027年的33%。
中国大陆地区的晶圆代工厂中，以中芯国际（SMIC）、华虹（HuaHong Group）、以及晶合集成（Nexchip）最为积极，扩产主要聚焦在Driver IC、CIS/ISP与Power Discrete等特殊工艺。
Driver IC方面，主要采用HV（High Voltage）特殊工艺，近期重点在40/28nm HV制程开发，目前市场较领先的是联华电子（UMC），其次是格罗方德（GlobalFoundries）。中芯国际的28HV和合肥晶合集成的40HV将在今年第四季到明年下半年进入量产阶段，技术差距也逐渐缩小，如力积电（PSMC）以及暂时还没有12英寸晶圆厂的世界先进（Vanguard）、东部高科（DBHitek）短期内将首先受到冲击。长远来看，也将对联华电子和格罗方德造成影响。
CIS/ISP方面，3D CIS结构包含逻辑层ISP与CIS感光层，主流工艺大致以40/45nm为分水岭，逻辑层ISP制程将持续往更先进节点发展，而CIS感光层与FSI/BSI CIS则以65/55nm及以上为主流。目前技术领先业者主要是台积电（TSMC）、联电、三星（Samsung）为主，但中芯国际、合肥晶合集成紧追其后，除了在技术层面追赶外，还会受惠于国内智能手机品牌的订单支撑，以及相关厂商积极响应政府政策将订单转会中国大陆地区。Power Discrete（功率元件）主要涵盖MOSFET与IGBT两种产品，中国大陆地区的晶圆代工厂也有更多切入的机会，加上其他本土小厂加入竞争行列，若产能大幅度提升，将加剧全球Power Discrete代工的竞争压力。
目前中国大陆地区的目标是提高本土化生产的比例，大幅度扩充产能可能会造成全球成熟制程产能过剩，且随之而来的将会是价格战。随着未来几年成熟制程产能提升，业内二/三线晶圆代工厂将面临客户流失的风险及价格压力，最终取决于技术迭进与良品率。
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