一文彻底理解NAND基本原理

目前NAND已经从SLC发展到PLC，但是PLC离大规模上市还有一段距离，我们暂时先略过。市面上主要流通的就是4种NAND类型：SLC、MLC、TLC、QLC。随着每个寿命从高到低依次是SLC>MLC>TLC>QLC.

随着单个cell含有的bit数越多，NAND的可靠性也会有所降低。同时写延迟也在不断地增加。SLC写延迟在0.5ms级别，到QLC写延迟达到10-20ms，40倍的差距。这也导致QLC SSD性能出现很大的下降。

介绍完NAND cell的状态，再来show一下NAND的基本操作(以最简单的SLC为例)。

读(Read)：

如上图所示，这是对单一cell进行read的基本操作。在控制栅极（CG, 也是WL）加上0V的电压，源极（Source)端加上0V以及漏极（Drain, 也是BL)加上1V，然后通过源极与漏极之间电流Icell的大小来判断cell的状态（0或者1）。

A点的状态代表存在Icell，所以Cell处于“开态”（ON），称为Erased；

B点的状态代表不存在Icell或者Icell很小且可忽略，所以Cell处于“关态”（OFF），称为Programmed。

如果对NAND cell阵列操作，原理图如下：

如果Cell C处于Erased, 对应BL的Sense电路会感应到有电流；

在需要read的target Page的WL上面加一个R1（一个较小的电压），其他WL的加VpassR, BL方向加1V,

如果Cell C处于Programmed, 对应BL的Sense电路不会感应到有电流。
写(Program):

在控制栅CG加上一个高压20V，基底接0V, 由于电场的存在以及隧穿效应，电子会被俘获在浮栅FG，也就完成了单个Cell的Program操作。Program之后cell的状态为“0”。

擦除(Erase):
在控制栅CG接0V，基底加上一个高压20V, 由于电场的存在以及隧穿效应，电子逃离浮栅FG，也就完成了单个Cell的Erase操作。Erase之后cell的状态为“1”。

需要注意的是，Read、Program都是以Page为最小基本操作单位，而Erase以Block为最小基本操作单位。