东芯股份一季报延续高增长 持续加码研发夯实核心竞争力

转眼间，东芯股份上市已半年有余。

作为国内领先的存储芯片设计公司，东芯股份从上市之初就备受市场关注。根据公开资料显示，东芯股份主要聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。

2021年12月登陆科创板时，东芯股份募集资金总额达33.37亿元，最终募集资金净额较原计划多出23.14亿元。

今年4月，东芯股份交出了上市后首份业绩成绩单，报告期内，东芯股份不负股东期望，业绩创出了历史新高——2021年公司实现营业收入为11.34亿元，同比增长44.62%;归属于上市公司股东的净利润为2.62亿元，同比增长1,240.27%。

2022年业绩再现“开门红”

一直以来，全球储存芯片市场被海外巨头企业垄断，头部集中度高。近年来，随着国产化需求的不断提高，大陆存储芯片企业有望迎来良好的发展契机。

根据公开资料显示，东芯股份成立于2014年，聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售，其主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash；易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP。

对应不同的应用领域来看，东芯股份目前产品应用的领域主要分成四大类，第一类是网络通讯的产品，从包括5G的宏基站到微基站，在家庭部分的话主要是接入网的部分，比如家用的光猫；还包括最近一年应用在WiFi6的网通类产品。

第二类应用是安防监控，主要的产品形态包括球机、枪机以及后端的NVR、DVR等。第三类是可穿戴设备，主要以TWS蓝牙耳机、智能手环智能手表等细分市场为代表；第四类应用的是模块，主要是MCP产品的应用，包括在5G、cat.4等方面。

2021年，在国内芯片产业景气度不断提升的背景下，东芯股份业绩暴增十余倍，2021年公司芯片出货量达到了2.08亿颗，表现十分亮眼。

进入2022年以来，东芯股份延续了高增长态势，业绩再创新高。2022年1月1日-2022年3月31日，公司实现营业收入3.44亿元，同比增长82.86%，净利润1.10亿元，同比增长216.92%。

对于业绩持续快速增长的原因，东芯股份高管在与投资者交流时将其归因于三方面：一在财务方面，公司在2020年首次实现盈利，因此相比2021年一季度，2022年一季度的增长比例较大。二是供应链方面，我们一直在布局、完善多渠道供应链及交货方式，因此Q1受疫情影响相对较小，对公司净利润增长有所帮助。三是产品结构方面，公司持续优化产品结构，2022年一季度时高附加值产品出货比率较高，如大容量SLC NAND等，因此毛利率相对较高。”

据该高管介绍，2022年一季度公司业绩超预期的背后，通讯类产品是相对较大的增长领域，尤其是在5G通讯领域，“目前我们产品在工业类的应用，包括基站、监控安防等都有不错的成绩。”

持续加码研发夯实核心竞争力

东芯股份之所以能取得突出的业绩，与其对研发的重视和多产品线的布局密不可分。

据了解，东芯股份的核心技术均来源于自主研发。东芯股份拥有自主完整的知识产权，其设计研发并量产的24nm NAND、48nm NOR均为大陆领先的NAND、NOR工艺制程。

凭借积淀多年的存储芯片设计经验和资深的研发团队，东芯股份可根据客户的特定需求提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高了产品开发效率。

在为客户进行定制化的设计过程中，东芯股份也不断了解市场对产品功能需求，接收客户对终端产品的反馈，反复验证和打磨已有的技术，建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，也进一步增强技术能力。

2021年，东芯股份研发费用近7500万元，占当期营业收入6.60%，研发投入较上年同比增长57.37%。截至2021年末，公司研发及技术人员数量较上年同期增加29.85%。

根据公开资料显示，2021年，东芯股份在新产品的研发和生产方面，展开了多层次、全方位的投入。一方面，公司聚焦国内先进工艺，与中芯国际深度合作，基于中芯国际19nm工艺平台，在2021年下半年完成了SLC NAND Flash首颗流片；同时，为满足多样化的终端需求，东芯股份还基于中芯国际24nm工艺平台，实现新产品最大至32Gb产品设计流片，实现1Gb到32Gb系列产品设计研发的全覆盖。另一方面，东芯股份还对其已有产品进行不断迭代升级，持续改善中芯国际24nm平台的工艺和产品良率；同时，实现大容量NOR Flash设计流片，及PSRAM产品的设计流片，为下一步多样化产品设计、降低成本、提升产品盈利能力打下基础。

进入2022年以来，东芯股份对于研发的重视程度更甚以往。早前，东芯股份管理团队曾在接受投资者调研时透露，2022年公司希望可以维持并提高研发费用，作为创新型研发型企业，加大研发费用有利于推出新型产品、吸引新的研发人员加入公司。眼下，东芯股份前瞻性的业务布局和高轻度的研发投入，已取得了不俗的进展。

在车规级闪存领域，东芯股份在38nm工艺上已经可以为客户提供车规级的PPI NAND以及SPI NAND的样品，包括1G、2G到最大的8G车规的NAND Flash。NOR Flash目前正在研发的则是48nm中高容量的NOR Flash车规级产品。

在PSRAM领域，东芯股份正在开发的PSRAM主要基于38nm工艺开发，主要容量是256Mb。据了解，PSRAM主要是针对穿戴式客户，公司目前在PSRAM的客户基础上具有一定优势，客户可以用公司的SLC NAND，也可以用今后开发的PSRAM。

在SLC NAND的布局上，东芯股份也遵循高可靠性和更新工艺两个方向，在高可靠性，公司具备开发更高容量NAND的基础，可在SLC NAND上研制高可靠性的产品，如车规级的SLC NAND。在更新工艺上，东芯股份不断更新制程，从38nm、24nm，再到现在正在开发的19nm的工艺，通过不断更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。

据东芯股份高管透露，2021年至2022年，公司SLC NAND在总体营收占比中保持相对稳定的状态。从长期来看，虽然SLC NAND是公司的优势产品，公司也会在NOR和DRAM上持续发力，打造从多品类通用型向特色型产品延申的发展路径，提升综合竞争力。

（本文仅供参考，不作为投资建议）