【中国IC风云榜候选企业107】进化半导体：围绕IDM战略布局，推动氧化镓产业化进程

【编者按】2022中国IC风云榜全新升级，在去年7大奖项的基础上扩展赛道，最终形成15大奖项。10月25日奖项申报已启动，目前征集与候选企业报道正如火如荼进行中。本次评选将由中国半导体投资联盟137家会员单位及400多位半导体行业CEO共同担任评选评委，奖项将于2022第三届中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

本期候选企业：进化半导体（深圳）有限公司（以下简称“进化半导体”）

【参选奖项】中国IC风云榜年度创业芯星奖

进化半导体（深圳）有限公司成立于2021年5月，是一家专业从事第四代半导体氧化镓（β-Ga2O3）等先进半导体材料晶片研发、生产和销售的企业。

氧化镓是国家重点发展的半导体材料，是全球新一代半导体领域竞争的前沿，高科技制高点之一，用氧化镓制作的功率器件可以大幅度降低电能损耗达99.9%，提高新能源车续航、缩小电力系统的体积、重量、成本，是提升新能源车市场竞争力、实现跨越式技术进步的重要材料，具有极大的社会价值和经济价值。

成立于2021年初的进化半导体，已发展为少数拥有氧化镓单晶炉设计、热场设计、生长工艺、晶体加工等全系列自主知识产权技术的β-Ga2O3单晶衬底生产商之一。其创新性研发出的无铱工艺法，较传统EFG导模法，不再使用贵金属铱金（价格为黄金3倍）制作坩埚，从而大幅度降低单晶生长设备成本为1/20，工艺成本降低1/3，可以制造低成本、大尺寸的氧化镓单晶衬底。新方法的产品成本为6英寸约1000元，仅为同尺寸碳化硅衬底的1/4~1/5，极大提高了氧化镓产业化潜力。

基于上千炉实验掌握的氧化镓特性，进化半导体又进行了近百炉的无铱工艺实验，开发了数个无铱工艺技术路线，成功制备了2英寸单晶衬底，加工后表面粗糙度0.5nm达到epiready级品质，并以此为基础开展薄膜制备技术开发。进化半导体从数种可行工艺中选取了量产前景较为显著的路线推动产业化工作，在短短几个月时间内快速完成了2轮融资，团队的实力和研发成果得到了专业投资机构的认可。

进化半导体同时开展新工艺、新设备的研发，实现多种管制材料的国产化、批量化、优质化，为多家业内公司和研制单位解决衬底难题，保障供应。如研制的国内首台6英寸氧化镓单晶炉，炉体、热场等均为自主设计。随着工艺的改进，产品品质提升，进化半导体开始着手包括真空腔体炉门自动锁闭、机械臂自动填料、高温环境实时测温与控制等自动化能力的迭代，为后续大规模量产奠定基础。

在研发方面，进化半导体立足于自主研发，坚持产业创新，打破了国外企业的产品和技术垄断，已申请6项发明专利，且其中3项已获得授权，技术实力凸显。接下来，进化半导体将在保护技术机密的前提下陆续申请储备的6项专利，进一步完善知识产权护城河。

时下，进化半导体已完成了相关产业布局，其中，总部设在深圳，将负责基于独特第四代半导体芯片的应用开发以及产学研合作；在苏州建立了集晶体生长-晶片加工-清洗检测的全套氧化镓晶片生产基地；另通过北京盘晶科技布局工艺及芯片仿真研发中心。

借助已有积累，进化半导体计划在2022年与合作单位共建国内首条第四代半导体氧化镓功率器件芯片实验线，围绕IDM战略布局，继续大力推动氧化镓材料的产业化进程。

核心团队介绍

核心团队中，许照原研究生毕业于北京大学工学院，曾在某军工单位工作，历任工程师、技术总师等职位，后在GE Healthcare负责核医学（Nuclear Medicine）产品的全球售后体系管理。

此后又先后发掘、孵化、投资了南京国科半导体、绿能芯创、Hurrichip等从事第三代、第四代半导体研发的企业，深刻掌握合物半导体的材料特性、应用方向、行业状态、市场趋势、投资逻辑，并积累了丰富的产业、政府和投资机构资源。

2021年初，许照原发起创立新一代半导体材料公司，3月底即完成第一轮融资，投资方为知名的新加坡淡马锡旗下早期投资机构祥峰投资Vertex。至5月份，进化半导体注册成立，许照原担任CEO。8月，进化半导体再完成第二轮融资。

另一位核心成员DZ，多年从事半导体单晶材料研发工作，先后开展了多种先进半导体材料的研发，其中包括多种第四代半导体材料，打破国外封锁，填补国内空白，制备技术也达到国内领先、国际先进水平。

DZ此前承担5项省部级科研项目，申请发明专利29项，其中获得授权发明专利14项。创业以来，已成功研制出大尺寸第四代半导体单晶炉、制备氧化镓的“无铱体系”工艺和相关设备，目前正在稳步推进溶液法碳化硅P型衬底的研发工作。

【奖项申报入口】

2022第三届中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼即将于12月在北京举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业报道正在进行中，欢迎报名参与。

【年度创业芯星奖】

星星之火，可以燎原。中国半导体的发展，离不开创业芯势力的参与。“年度创业芯星奖“旨在表彰不惧挑战、敢想敢为，带领团队突破创新，用技术影响行业的优秀创业者。

【报名条件】

1、公司成立时间两年以内（以工商登记日期起算）2、创业团队有着良好的技术与产业背景，拥有核心技术与创新能力； 3、候选人需要是公司实控人或核心创始人4、深耕半导体某一细分领域，竞争优势明显，解决“卡脖子”的企业优先。

【评选标准】

1.团队完整性（20%）、2.技术创新性（30%）、3.产品进度（30%）、4.行业影响力（20%）。