在2021年国庆的最后一天，10月7日的三星代工论坛2021大会上，三星电子代工事业部总裁崔时英披露了三星3nm与2nm的芯片线路图。据了解，三星基于环绕闸极（GAA）技术的3nm制程效能预计比基于鳍式场效晶体管（FinFET）技术的5nm提升30%，功耗将减少50%，芯片占用面积将缩减35%。
这是三星电子首次透露2nm的制程规划，在三星电子代工市场策略高级副总裁江文秀透露，三星电子推出的2nm制程将使用更先进的GAA技术，采用该制程芯片的效能、功耗等关键表现将更上一层楼。
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在代工市场上能与三星电子抗衡的就是台积电了，从7nm制程开始到现在的5nm制程打的不相上下。围绕3nm的竞争，行业预估AMD将于明年末推出的新GPU或采用三星电子3nm制程的芯片。
台积电将于2022年7月量产3nm制程的芯片，英特尔的CPU、GPU等都将采用台积电的方案，不过不同于三星直接在3nm上运用GAA技术，台积电将在3nm制程继续采用FinFET技术，在2nm时GAA技术才会使用。目前FinFET技术十分成熟，台积电预估延续FinFET技术的3nm制程效能，可较5nm提升10%~15%，功耗减少25%~30%。
目前三星电子同时在开发多桥通道场效应晶体管（MBCFET）技术，适用于2nm~3nm的芯片，与台积电的新一轮芯片代工之争即将展开。三星电子计划明年上半年将GAA技术用于3nm制程、2023年用于第二代3nm制程、2025年用于2nm制程。
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