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智通财经APP获悉，据报道，三星电子10月7日在公司举办的晶圆代工论坛上表示，2025年将开始量产2纳米芯片，明年上半年开始生产客户设计的3纳米芯片，第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产。
三星晶圆代工部门总裁Choi sSi-young表示：“我们将全面提供制造产能，在最先进的技术方面维持领先。持续在应用层面精进技术。”
三星表示，公司的GAA电晶体结构先进制程技术已经发展完备，明年可为客户量产3纳米芯片，2025年量产2纳米芯片。GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相比，性能增强30%，功耗减少50%。
三星同时也在持续改善鳍式电晶体(FinFET)制程技术，该公司表示，其17纳米FinFET制程晶片与28纳米相比，性能增强39%，功率增强49%，面积减少43%。
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