【7月18日讯】相信大家都知道，随着台积电、三星这两家芯片代工巨头正式对外宣布了3nm工艺芯片技术以后，究竟台积电、三星谁能够领先3nm工艺芯片技术，也成为了全球众多科技巨头以及消费者高度关注，但就在台积电、三星不断取得芯片制造工艺技术突破后，有外媒正式对外爆出猛料，其中明确提到台积电、三星这两家芯片制造工艺水准严重参加，不要相信台积电、三星这两家科技巨头在工艺节点方面的营销游戏。
其实最早在2018年，全球手机芯片霸主高通就曾提到：“别太相信芯片代工厂的芯片工艺，他们喜欢将数字弄得小一点，台积电、三星都有类似的问题。” 随后在2019年，台积电高管技术研究副总经理黄汉森也开始承认这个问题，认为：“现在的XXnm其实与晶体管栅极已经不是绝对相关了，工艺节点已经变成了一种营销游戏。” 这似乎也表明台积电间接承认了目前所谓的芯片制造工艺节点存在很大的问题，那么台积电、三星作为全球实力最强的两家芯片代工巨头，其芯片工艺节点技术究竟如何呢？台积电、三星的5nm又真正的是5nm么？
根据目前业内对芯片工艺的评价方法，最简单粗暴的就是计算晶体管的沟道长度为目标，芯片制造工艺越先进，沟道长度越短，晶体管密度就越大，而台湾的电子时报Digitimes在分析三星、台积电、Intel及IBM四家公司的10nm、7nm、5nm、3nm及2nm芯片工艺密度问题，发现只有Intel不存在水分，其他三家公司都存在很大的水分。
根据相关的数据显示，Intel的10nm工艺芯片，其晶体管密度就达到了惊人的1.06亿个每平方毫米，比三星、台积电的7nm芯片的晶体管密度数据还要强，而Intel的7nm芯片的晶体管密度会达到1.8亿个每平方毫米，而目前三星的3nm芯片的晶体管密度只有1.7亿个，台积电5nm芯片的晶体管密度也只有1.73亿个，可见Intel的7nm工艺技术依旧强于台积电3nm、三星的5nm工艺芯片。
根据官方所公布数据，Intel 5nm芯片晶体管密度更是会达到惊人的3亿个每平方毫米，可以说Intel虽然对外公布芯片工艺明显落后于台积电、三星，但在实际的性能参数表现方面，是绝对要强于台积电、三星，所以大家或许真的不要太在于5nm、3nm工艺，毕竟台积电、三星这两家芯片代工巨头的技术水分较大，无法在各企业的产品之间进行比较，只能够对同一芯片代工企业的芯片产品进行比较，那就是台积电自家生产的5nm芯片一定是强于7nm，7nm芯片一定是强于10nm；
针对台积电、三星们的这个芯片工艺节点营销游戏，也有业内人士指出，这也是因为台积电、三星在某一项技术上达到了5nm、3nm工艺时，就宣布达到了5nm甚至是3nm工艺水准，所以台积电、三星的芯片制造工艺技术掺假才会如此严重。
最后：针对台积电、三星这两家芯片代工巨头在芯片工艺节点上存在严重掺假，但依旧喜欢玩芯片工艺节点的营销游戏一事，各位小伙伴们，你们对此都有什么样的看法和意见呢？欢迎在评论区中留言讨论，期待你们的精彩评论！
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