第三代半导体发展利好，国内产业项目多点开花

第三代半导体因为具备高频、高效、高功率、耐高温高压等特点，契合节能减排、智能制造等国家重大战略需求，目前已成为全球半导体技术和产业新的竞争焦点。

从全球市场范围来看，目前全球第三代半导体市场基本被国外企业垄断，如Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel、罗姆、三菱电机、Infineon、意法半导体等。

国内第三代半导体产业链初步形成

近年来，国家先后印发了《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019版）》《能源技术创新“十三五”规划》等鼓励性和支持性政策，将SiC、GaN和AlN等第三代半导体材料纳入重点新材料目录，推动支持SiC等第三代半导体材料的制造及应用技术的突破。

此外，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》也将“碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”写入了“科技前沿领域攻关”部分。

在国家政策扶持以及新兴产业的推动下，目前，国内第三代半导体产业链已经初步形成。

有数据显示，截至2020年底，全国已有近30家第三代半导体材料企业，如衬底领域的山东天岳、天科合达、同光晶体、中科钢研、纳维科技、山西烁科晶体等，外延片方面的瀚天天成、天域半导体等；模块/器件/IDM领域则拥有中电科旗下2所/13所/55所、中车时代、世纪金光、泰科天润、芯光润泽、基本半导体、英诺赛科、中科汉韵、海特高新等。

此外，国内不少传统半导体企业亦在加速第三代半导体领域的布局，如华润微、闻泰科技、比亚迪、赛微电子、露笑科技、新洁能等均开始涉足。

第三代半导体项目进展

2021年以来，国内已频繁签约上马多个相关产业项目，与此同时，一大批重大项目也迎来了新的进展。

东源高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业项目签约

6月10日，广东省河源市东源县与华润水泥控股有限公司举行广东东源高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业项目框架协议签约仪式。

东源发布指出，该项目计划总投资180亿元人民币，一期计划投资100亿元，二期计划投资30亿元，三期计划投资50亿元。全部建成达产后，预计年产值200亿元，预计年上缴税收30亿元。项目建成后，将大力推动东源硅产业创新发展，进一步壮大千亿级硅基新材料产业集群。

晶睿电子电子级晶圆片、外延片制造项目试生产

6月9日，浙江晶睿电子科技有限公司开机，开始试生产电子级晶圆片、外延片制造。

晶睿电子公司的电子级晶圆片、外延片制造项目总投资55亿元，其中一期投资5亿元，主要进行高端电子级半导体材料（8-12英寸晶圆片）切磨、抛光、外延等材料的研发、制造，以及第三代化合物半导体外延片的生产，一期投产后年产值9亿元。

湖南三安半导体项目一期部分厂房完工

据长沙高新区网站6月初报道，位于长沙高新区的湖南三安半导体项目一期部分厂房已完工，预计6月底首批设备点亮。该项目总投资160亿元，主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地。

具体而言，项目将建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片生产线量产

6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式，量产启动仪式以及研发楼奠基仪式。

汾湖发布指出，英诺赛科一期项目正式开启大规模量产，预计2021年实现产能可达6000片/月。项目全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

电科北方集成电路材料产业基地项目开工

5月31日，总投资50亿元的电科北方（山东）半导体科技有限公司集成电路材料产业基地项目开工。

2019年8月21日，中国电子科技集团公司第十二研究所和晨鸿公司在淄博签订合作协议，在淄博打造国内首个集成电路材料产业基地，基地建设瞄准了行业最前沿的第三代半导体新材料技术。

其中，首个落户山东晨鸿电气有限公司集成电路材料产业基地的，便是第三代半导体的代表性材料——高品级氮化铝粉末及复杂形状氮化铝陶瓷精密器件项目。

露笑科技碳化硅项目开始设备安装调试

5月31日，露笑科技在互动平台上表示，公司在第三代半导体碳化硅这个颠覆性材料的技术方面取得突破，目前设备已经开始安装调试。该项目总投资100亿元，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。

项目分三期建设，其中第一期预计投资21亿元，建成达产后，可形成年产24万片导电型碳化硅衬底片和5万片外延片的生产能力；第二期预计投资39亿元，建成达产后，将形成年产10万片6英寸外延片和年产10万片8英寸衬底片生产能力；第三期预计投资40亿元，达产后将形成年产10万片8英寸外延片和年产15万片8英寸衬底片生产能力。

值得一提的是，为了更好的聚焦碳化硅业务，减少公司在非主营业务上的资金投入，露笑科技于今年3月发布公告称，拟转让全资子公司浙江露通机电有限公司的100%股权。

中科汉韵SiC功率器件项目通线

5月24日，江苏中科汉韵半导体有限公司举行SiC功率器件项目通线仪式。

据悉，中科汉韵是中国科学院微电子研究所和徐州中科芯韵半导体产业投资基金共同投资的半导体芯片设计和制造企业（IDM），专注于第三代半导体碳化硅MOSFET芯片，致力于高质量碳化硅功率器件国产化。

中科汉韵是中科院微电子所碳化硅科技成果产业转化的成功典范。项目一期建筑面积2.1万平方米，建设年产5000片碳化硅功率器件生产线。该项目的正式通线，标志着我国企业突破了碳化硅芯片设计和工艺制造国产化中的一系列重大“卡脖子”技术。

东尼电子拟投建碳化硅半导体材料项目

4月12日，东尼电子发布2021年度非公开发行A股股票预案公告，拟募集资金5亿元投资建设碳化硅半导体材料等项目。

其中碳化硅半导体材料项目总投资额4.69亿元，由东尼电子直接负责实施，项目建设期36个月，项目建设完成后，将年产12万片碳化硅半导体材料，完全达产当年可实现年营业收入7.78亿元，净利润9589.63万元。

目前，该项目已经湖州市吴兴区发展改革和经济信息化局备案，并取得《浙江省工业企业“零土地”技术改造项目备案通知书》。

赛微电子拟投建硅基氮化镓产线

4月1日，赛微电子与青州市人民政府签署了《合作协议》，拟在青州市建设6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目。

根据协议，该项目总投资10亿元，项目一期计划2021年底前做好投产前准备，2022年上半年投入生产，建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力，二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力，将为全球GaN产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。

华瑞微半导体IDM芯片项目预计年底投产

据南谯区人民政府3月发布的消息，华瑞微半导体IDM芯片项目一期预计于今年年底正式投产，主营业务为研发、生产、销售功率半导体芯片。根据规划，该项目项目一期用地100亩，6万平米的生产厂房预计今年5月封顶，年底将正式投产，一期达产后，预计年销售额可达10亿元。

据悉，该项目由南京华瑞微集成电路有限公司总投资30亿元，于2020年10月正式开工奠基，主要承担第三代化合物半导体器件的研发及产业化，建设SiC MOSFET生产线。项目建成后将形成年产1万片第三代化合物半导体器件的生产能力。

斯达半导体投建SiC芯片/功率半导体模块等项目

3月2日，斯达半导体发布公告称，公司拟定增不超35亿元，投建SiC芯片和功率半导体模块等项目。

其中，高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目总投资金额20亿元。拟通过新建厂房及仓库等配套设施，购置光刻机、显影机、刻蚀机、PECVD、退火炉、电子显微镜等设备，实现高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化。项目达产后，预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。

功率半导体模块生产线自动化改造项目总投资金额为7亿元，项目达产后，预计将形成新增年产400万片的功率半导体模块的生产能力。

亮晶新材碳化硅单晶圆芯片项目签约新疆

2月20日，江苏连云港亮晶新材料科技有限公司碳化硅单晶圆芯片项目签约落地新疆昌吉。

据江苏连云港亮晶新材料科技有限公司总经理邹立民介绍，公司计划在准东经济技术开发区建设年产8万片第三代半导体芯片和碳化硅单晶圆芯片项目。

苏州纳维总部大楼奠基

1月24日，苏州纳维科技有限公司（以下简称“苏州纳维科技”）举行总部大楼奠基仪式。

据苏州工业园区发布消息，该项目位于苏州纳米城，总用地面积14000平方米，总建筑面积约34000平方米，将建设氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。（文/全球半导体观察）