分享至
中证网讯（记者 王可 李岚君）6月10日，中国科学院官网刊文称，近日，中国科学院上海光学精密机械研究所（简称“上海光机所”）信息光学与光电技术实验室在计算光刻技术研究方面取得进展，提出了一种基于虚拟边与双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正技术（OPC）。在光刻机软硬件不变的情况下，采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化，可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口，此类技术即计算光刻技术。该技术被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律继续发展的新动力。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
