近几个月来,美国对华为的打压可谓是变本加厉,其中对华为芯片的限制政策更是令华为陷入举步维艰的境况。尽管华为有自主研发的芯片,却苦于台积电受美国政策影响,在9月14日后不能再给华为代工。面对美国在芯片技术领域的步步紧逼,若脱离美国技术,单靠中国自主研发、生产,两年内我国能实现多少纳米芯片的量产?结果还真的是有点不容乐观。
芯片制造除了专利和技术之外,还需要关键材料和关键设备。以目前我国的科技水平和对芯片研发的进展来看,两年内我国有希望实现28nm芯片的量产。目前针对28nm芯片的诸多技术难点已被攻破,唯一需要等待的是上海微电子到底能不能在两年内成功制造出我国自主研发的28nm光刻机。只要光刻机能顺利交付,我国便有很大概率摆脱对美国技术的依赖和限制,实现28nm芯片的量产。不过在制造芯片的材料问题上,我国在短时间内很难摆脱对日韩的依赖,像是光刻胶、硅材料、电子气体以及诸多工艺化学品都要从日韩两国进口。一旦在进口上被限制,我国28nm芯片的量产还会生出不小的波折。
早先时候,我国媒体大肆报道中芯国际已经实现了14nm芯片的量产,似乎标志着中国芯追赶西方国家不再是遥不可及的事情。可实际上中芯国际之所以能实现14nm芯片量产,关键还是依靠美国等西方国家的技术与设备。这意味着中芯国际一旦遭到美国的制裁、被限制专利技术的使用,中芯国际的14nm芯片量产将被掐断。此前就因为美国对华为颁布的“制裁令”,中芯国际根本不敢帮助华为渡过芯片难关,生怕一不小心“惹祸上身”、一同遭受美国的制裁。
据悉,目前台积电已经实现了5nm芯片的量产,正在全力攻克2nm芯片的技术难关。与之对比,我国即便再努力,两年内最好的成果也仅仅是28nm芯片,两者相距的鸿沟恐怕在短时间内根本无法填平。面对这样的差距,我国再如何努力又有什么意义呢?如果你也是这么想,恐怕就大错特错了。确实在28nm芯片与2nm芯片之间足足相差三代,分别要跨过14nm、10nm、7nm和5nm四个技术节点。看起来短时间内,甚至十年内我国在芯片生产技术上都无法追赶上欧美等先进国家,但这笔账却不是这么算的。
通常情况下10nm以内的芯片可以用在像是电脑CPU、手机SOC等高端科技产品上。但28nm芯片市场可不亚于前者的规模,像是互联网设备、智能家电、液晶电视、千兆路由器等等无数分门别类的产品,28nm芯片都能轻松驾驭。更重要的是,我国自主量产的28nm芯片一旦拿下国内市场,将获得巨大的利润回报。这笔巨额回报将反哺我国的芯片研发,为我国芯片技术发展提供足够的后续资金支持。更简单的说,28nm芯片一旦成功问世、实现量产,将直接撬动我国芯片大迈进的步伐。
不止如此,虽说28nm芯片与2nm芯片隔代如隔山,可依旧存在不少共通之处。一旦28nm芯片的技术难点被打通,我国距离研发出14nm和10nm芯片的时间将极大缩短,有望在十年内实现10nm芯片的量产,其实这样的研发速度也已经算得上是蛮快的了。换另一个角度来看中国研发芯片的速度,我们不难发现中国芯的成长其实伴随着中国整体工业化水平正在由中高端迈向高端,这其实是中国整体工业化水平、产业链条的全面升级的过程,不是简简单单几年内能完成的,而这一次升级可能需要走过二十年甚至三十年的时间。届时中国整体科技水平才能真正做到屹立全球之巅,达到真正意义上接近美国的整体科技水平。
这不是长他人志气灭自家威风,而是美国借助二战之利笼络了全球大量的科学专家,以及用几十年奠定了美国当下基础科学的底蕴,不是任何国家能够单纯凭借经济发展、不惜重金投入就能快速追上的。在这样的鸿沟面前中国能够对美国紧追不舍并慢慢拉近距离,已经是一个值得骄傲的奇迹。所以,中国芯急不来,它属于中国的未来,也代表着中国下一个辉煌时代的开启。
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