JEDEC发布《氮化镓电源开关可靠性评估程序指南》

JEDEC宣布发布JEP180《氮化镓功率转换器件的开关可靠性评估程序指南》，该指南由JEDEC WBG宽带隙功率半导体委员会负责制订，现已可从JEDEC网站免费下载。

JEDEC表示，为了推进GaN功率晶体管应用，既需要验证功率转换应用中的可靠性，又要验证其开关寿命。针对现有的硅功率晶体管的测试方法不一定适用于GaN功率晶体管的情况，特制订JEP180以供GaN功率晶体管和功率转换设备的制造商使用。

自GaN功率晶体管问世以来，JEP180首次使得制造商能够评估GaN功率晶体管的开关可靠性，并确保其技术水平和在功率转换应用中的耐用性。该文档提供了适用于GaN平面增强模式、耗尽模式、共源共栅功率晶体管和集成功率解决方案的开关加速寿命和动态高温工作寿命测试的指南。

JEP180由GaN功率器件领域的顶尖专家经过两年多的时间制订。

德州仪器（TI）GaN专家兼创新架构师和JC-70的主席Stephanie Watts Butler博士说：“这项新指南为工程师提供了对开关行为的可靠评估，这将进一步加速GaN在整个行业的应用，尤其是在效率、功率密度和可靠性最为重要的汽车和工业市场中。”

英飞凌CoolGaN项目的高级顾问、董事长兼JC-70.1小组委员会主席Tim McDonald表示：“该最新指南涵盖了开关可靠性，并通过解决了委员会成员确定的关键主题之一，确保了GaN器件在各种应用中的成功使用。我们还将继续制订同时涵盖GaN和SiC器件的准则和标准。”

JC-70成立于2017年10月，由23家成员公司组成，目前拥有60多家成员公司，突显了业界对开发通用标准以促进宽带隙（WBG）电源技术的采用的兴趣。来自美国，欧洲，中东和亚洲的全球跨国公司和技术初创公司正在共同努力，为该行业带来一套有关宽带隙（WBG）功率半导体的可靠性，测试和参数的标准。委员会成员包括功率GaN和SiC半导体领域的行业领导者，以及宽带隙功率器件的潜在用户以及测试和测量设备供应商。来自大学和国家实验室的技术专家也提供了相关意见。

JEDEC表示，欢迎全球有兴趣的公司加入它参加这项标准化工作。JC-70计划在2020年举行四次委员会会议，其中包括3月16日在路易斯安那州新奥尔良与IEEE应用功率电子会议暨展览会（APEC）同期举行的会议。