（原标题：进击的闪存 SK海力士17年Q2量产10nm级DRAM）
据韩媒ETnews报道，SK Hynix将在2017年开始大规模量产10nm级DRAM，成为继三星之后第二家迈入10nm DRAM制程的原厂。SK Hynix在内部结束1xnm DRAM开发工作的同时即开始了1ynm DRAM的研发工作，并且同步建立了1znm DRAM的研发团队，以增加DRAM未来的产品竞争优势。
据了解，SK Hynix已经在着手准备1xnm DRAM批量生产的相关事宜，其项目名称WieAlius，目前已经有了晶圆原型，正在进行量产前可行性的最终测试。半导体制造过程中通常所说的原型被分为工程样品（ES）和客户样品（CS）两种类型。客户样品是为了在客户端测试过程中发现并修复工程样品可能存在的某些问题，当客户样品测试完成了之后可以判定完成了产品的开发过程。为了推动1xnm DRAM量产的进行，SK Hynix将立即执行客户样品测试的流程，这说明SK Hynix已经基本成功完成了1xnm DRAM开发。
从目前情况来看，SK Hynix将在2017年第一季度对位于利川的M14工厂投入生产设备，为批量量产做准备。然后将于2017年的第二季度开始1xnm DRAM的批量生产。
业内普遍认为在2znm DRAM制程层面，SK Hynix相较于三星技术方面落后了1年半的时候。三星电子在今年第二季度已经开始量产1xnm DRAM，如果SK Hynix能在2017年第二季度实现1xnm DRAM的量产，它们之间的差距将缩减到1年。
除了加快1xnm DRAM的量产进度，SK Hynix还计划通过加快1ynm 和1znm DRAM的开发进度来缩短与三星电子之间的差距。1ynm和1znm DRAM项目名称分别被命名为“Davinci”和“Rigel”。这也是SK Hynix目前正在进行的“+2”策略，所谓的“+2”策略是存储行业中完成一个产品的开发后同时开始进行后面两代产品的开发。
听说美光方面甚至还没有开始2znm DRAM的量产，SK Hynix加快1ynm和1znm的开发进度在缩短与三星差距的同时还能拉开与美光之间的差距。
市场预测，SK Hynix在2017年将是其变化最大的一年，在存储市场需求持续增长的前提下，若SK Hynix的技术开发能一切顺利，SK Hynix的年营业利润将进一步成长。
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