追赶三星东芝斥资再建3D NAND闪存工厂

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（原标题：追赶三星东芝斥资再建3D NAND闪存工厂）

日前，东芝正式宣布在日本四日市新建工厂，用来扩大生产其专有的3D NAND Flash——BiCS FLASH。东芝希望通过开发最新的BiCS FLASH和新一代的存储器扩大其存储业务，积极响应市场需求，并扩充投资，提升其产品竞争力。

东芝在2016年3月就曾表示要建造一个新的BiCS FLASH工厂，并计划在未来3年内投资额达8600亿日元，其中包括建新3D NAND工厂，更新现有设备等，现在终于给出了新工厂建设的时间表。

东芝表示，预计将在2017年2月开始动工新建专用于生产3D NAND Flash存储芯片的晶圆厂。和Fab 5工厂一样，新晶圆工厂的建设也将分两个阶段，以优化投资步伐和市场趋势，其第一阶段预计将在2018年的夏天完成，该工厂将具备防震和环保的设计，内部LED全照明，配备最新的节能制造设备，还将引入先进的人工智能（AI）生产系统以提高整体生产力。

东芝还计划在新建的工厂附近设立一个专门Memory研发中心，这各举措将汇集来自不同地方的研究成果，同时推动NAND Flash技术的开发进度。

● 东芝2006年新建Fab 4工厂，2007年投产。
● 东芝与SanDisk合资在2010年新建Fab 5工厂，2011年开始投产。
● 东芝与SanDisk合资在2013年新建Fab 5二期工厂，2014年开始投产。
● 东芝与SanDisk合资在2015年将Fab 2工厂改建成3D NAND专用工厂，于2016年开始投产。

在NAND Flash技术拐点，面对三星早早投入3D技术生产，东芝表现的比较淡定，可能认为64层以下3D技术相较于当时2D 1znm工艺没有成本优势，所以并未大量投产3D NAND，2016年量产的48层3D NAND也不对外销售。

随着3D技术发展到64层堆叠，东芝2016下半年宣布64层堆叠3D NAND开始送样，初期存储密度为256Gb容量，然后再提高到512Gb量产，目标是在2017年将整体3D NAND生产比重提高至50%，2018年度进一步提高至90%左右的水平。

东芝是第二大NAND Flash芯片制造商，为了提高BiCS FLASH投产，在2015年改建的Fab 2工厂已于2016年进入初期投产阶段，再加上东芝宣布3D技术进入64层堆叠，其产能规划，市场策略等都将影响NAND Flash市场的发展。

对于新建的Fab工厂的总体产能、设备投资、生产能力、生产计划和投产时间，东芝表示将视未来市场发展动向而定，而且东芝也希望继续与Western Digital(WD)进行协商、讨论，就新工厂的共同投资和闪存合资企业的运营。

东芝上调2016财年预计数据，截止至2017年3月的营业利润将达到1800亿日元(约合17.7亿美元)，较此前预计的1200亿日元(约合11.8亿美元)增长50%。