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IT时代网11月10日消息，英飞凌当地时间 11 月 9 日宣布，已在全规模半导体晶圆厂环境中，率先将 300mm（12 英寸）碳化硅晶圆成功加工为功率半导体器件，成为业内首个跑通这一工艺节点的厂商。
此次加工基于奥地利菲拉赫晶圆厂现有的硅半导体制造设备完成，无需新建专用产线，显示大尺寸碳化硅晶圆在商业化量产上的现实潜力。相比当前主流的 200mm 晶圆，300mm 尺寸意味着单片晶圆可切出的芯片数量显著增加，单位成本随之下降。
英飞凌表示，将与客户和合作伙伴共同规划 12 英寸碳化硅技术及量产时机，同时继续推进 200mm 碳化硅制造路线图。此外，公司还在德国德累斯顿工厂验证了冷分片技术在 12 英寸碳化硅上的可行性，该工艺可提升晶锭到晶圆环节的加工效率并减少损耗。
注：本文配图由AI生成。本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。
编辑：林一舟
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